bandgap在工艺角仿真时，ss、ff差别较大，为什么，怎样可以解决？

是差别不小，特别是把各种器件的工艺角都加进去的时候。
一般的spec允许一定的范围的，比如20mV甚至更大。
不一定非得是抛物线吧，二阶的补偿还有S型的，不同工艺角下有的类似直线型。
不过，bandgap的蒙特卡洛仿真似乎比工艺角仿真，更有意义。

谢谢你的回答，由此可见你对带隙还是很熟悉的，我可以给你发信息请教吗

差异大，说明电路的失调比较大
原因有很多
1. 运放增益不够，导致在某些corner下环路增益不够，电路失调增加
2. 存在漏电，这种常见在低功耗bandgap设计时（比如功耗<1uA），这个时候，电路中得一些小length的管子漏电就会影响
3. 直流工作点预留的margin不够，导致在某些corner下电路进入线性区
4. 电路中得某些结构引起这种现象，比如启动电路
对于一个一阶补偿的bandgap，电路没有异常时，corner对输出的影响是很小的，甚至小于1mV
对于你看到的这种温度曲线S型结果，基本是电路里面的一些非理性效应引起的
我在做bandgap时，也常遇到高温corner影响大，甚至出现S型
基本都是因为电路的非理性因素引起的
你可以试着逐一改变电路中得各个重要支路，找出影响输出的地方

电路结构失配没控制好

昨天刚好碰到此问题不知怎么解决，谢谢分析

我的经验和2楼一样，和4楼不同。corner对bandgap影响还是不小的。不过不是由于mos的corner影响，而是bip和res的corner变化。

既然bjt和res影响这么大，那应该怎样调整呢?

4楼说的很全面，
直流工作点预留的margin不够，导致在某些corner下电路进入线性区的可能性很大，
你可以检查一下SS，FF时的DC点，看看电流镜是不是饱和深度不够，或者运放的哪些管子没有在正常的工作区域，

如果是在80度温度曲线开始往上翘，要看80度以后，比如说130度得DC点，相信会很快找到答案的

我和2。7楼的看法差不多，我在调试的时候也曾经想倒过是不是直流工作点欲度不够或者是增益不够，反复弄了几次，发现其实这些都没问题，确实是bjt 和mos在不同工艺角下的偏差影响的，我也在寻求解决办法，想交流加qq471178331

同意 mismatch会导致corner跟mc simulation下的bandgap输出曲线失衡。而且主要是产生ptat电流的BJT的匹配问题。

我也很想知道啊

跑完corner和MC对应的分析分析自然能找到答案

学习了。谢谢分享。

好东西

这是bjt和res变化的结果，和其他因素关系不大：
1.对于bjt，由于vref中含有vbe项，bjt的vth直接影响vref，我所用的工艺中变化量为+-10mV，这个量是直接叠加在vref上的；
2.假设res正负20%的变化，vref基本不变，你会发现电流会反方向变化20%；用二极管的电流公式可以推导出来bjt上的压降变化为热电势的20%，约为+-6mV；
3.以上两者决定了大部分的偏差；电源电压和mos管工艺角也会有影响，但是相对较小；

建议小编贴图出来。
仿corner时看不到随机offset引起的变化，MC可以。
4楼分析比较全面，可以看下偏离时的静态工作点。
注意ss,ff是否包括了bjt，res的变化

谁说曲线S型是corner造成的?二阶补偿就是人为的S。

还是哥们你分析的具体。

分析基本思路没错。不过第2点，电流变化20%，BJT电压变化应该没有20%那么大，BJT的I~V并不是线形关系。

我想你误会了：res工艺角变化引起的bjt电压变化是热电势的20%……

不好意思，没看仔细，误会了。

学习了！

nicer

感谢，学习了……

。。

学习了，一直做亚阈值的的电路基准，mc只仿mismatch就很好，340mv输出1.5mv标准差，但是仿了process就差了，340mv输出的基准，标准差达到26mv，因为电路用了两种阈值器件，2v和3v，温度范围做到了-20到120，tc小于10ppm，最大电流小于50nA，mc的process分析结果始终无法见人啊！

可以上个电路图一起看看吗?