自举开关MOS的体端连接问题

最近做bootstrapped switch，但是不知道做开关的mos管的体端怎么连。一般NMOS都是连最低电位吧，但是栅极电压被抬高，会不会把这个NMOS击穿呢?难道要用深阱的器件单独控制NMOS的bulk端?请大神们解答。谢谢了！

你要升压到几V?
没有独立Pwell?

电源电压1.2V，输入信号的共模在600mV上，光是传输共模信号，开关MOS的栅极电压已经到了1.8V，但是可以保证Vgs和Vgd都在1.2V以内。然而，对于N阱工艺，NMOS不是体端要连最低电平么，Vgb的电压会不会造成该mos管的击穿呢?求指导，谢谢！

求论文

抱歉，隔了这么久才回复。


2001_JSSC_Very low-voltage dig ...
晕，不知道有没有传成功。论文名为
2001_JSSC_Very low-voltage digital-audio delta sigma modulator with 88-db dynamic range using local switch bootstrapping

我看到一种方法是在采样管导通时将其体端接到其源极，在采样管关断时其体端接到GND。不知道小编最后是如何解决这个问题的?

开关管NMOS的B端一会儿连gnd,一会儿连其源端，加上图中1.2V标示旁的PMOS（其S与B相连），岂不是需要双阱工艺?

kkkkkkkkkkkkkk

双阱工艺也可以，我们采用的是N阱工艺中的深N阱管，可以允许NMOS管衬底接源极