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Bandgap 测试后电压普遍偏高30mv左右

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

如题,1.2V低压BG结构,华宏工艺流片后,不校准的情况下,输出参考电压比后仿真的800mV高了约30mV,而一致性与后仿真接近约+/-15mV(常温,目前测了几十片)
请大家帮忙分析下,可能的原因有啥?会不会是工艺模型不够准确?

另外,之前用tsmc工艺流片,同样的架构,实测与后仿真非常接近。

1.2V你怎么测的,先说说?
有加Buffer吗?

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