Bandgap 测试后电压普遍偏高30mv左右

如题，1.2V低压BG结构，华宏工艺流片后，不校准的情况下，输出参考电压比后仿真的800mV高了约30mV，而一致性与后仿真接近约+/-15mV（常温，目前测了几十片）
请大家帮忙分析下，可能的原因有啥?会不会是工艺模型不够准确?

另外，之前用tsmc工艺流片，同样的架构，实测与后仿真非常接近。

1.2V你怎么测的，先说说?
有加Buffer吗?