什么是native nmos model
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// *1.8v native nmos model*
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model nnt18 bsim3v3 type=n
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// * general parameters
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+lmin = 4.5e-7 lmax = 1.0e-5 wmin = 1.9e-7
+wmax = 1.0e-4 tnom = 25.0 version = 3.24
+tox = 3.87e-09+dtox_nnt18 toxm = 3.87e-09 xj = 1.6000000e-07
+nch = 4.4440000e+16 lln = 1.0000000 lwn = 1.0000000
+wln = 1.0000000 wwn = 1.0000000 lint = 3.2000000e-08
+ll = 0.00 lw = 0.00 lwl = 0.00
+wint = 0.00 wl = 0.00 ww = 0.00
+wwl = 0.00 mobmod = 1 binunit = 2
+xl = 2.5e-8+dxl_nnt18 xw = 0.00+dxw_nnt18 dwg = 0.00
+dwb = 0.00
// * diode parameters
+dskip = no ldif = 7.00e-08 hdif = 2.0e-07
+rsh = 7.08 rd = 0 rs = 0
+rsc = 1 rdc = 1
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// * threshold voltage parameters
// *
+vth0 = -0.015+dvth_nnt18 lvth0 = 2.8000000e-08 k1 = 9.6053920e-02
+k2 = -2.5212668e-02 k3 = -0.5717283 dvt0 = 1.0000000e-02
+dvt1 = 0.00 dvt2 = -1.0000000e-02 dvt0w = -9.0000010e-02
+dvt1w = 1.3570372e+05 dvt2w = 0.00 nlx = 4.3929600e-07
+w0 = 0.00 k3b = -0.8582231 pvth0=0+dpvth0_nnt18
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// * mobility parameters
// *
+vsat = 1.3500000e+05 lvsat = -1.8200000e-02 wvsat = 1.0000000e-04
+pvsat = 3.6000000e-09 ua = 9.6000e-10 lua = -5.0000000e-17
+pua = -3.0000002e-23 ub = 2.1696805e-18 uc = -2.2999993e-11
+wuc = -3.5000000e-17 puc = 2.0000000e-23 rdsw = 1.2000000e+02
+prwb = 0.00 prwg = 0.00 wr = 1.0000000
+u0 = 6.1000000e-02 wu0 = 2.2000000e-09 pu0 = -1.0000000e-16
+a0 = 1.5500000 keta = -2.9847301e-03 a1 = 0.00
+a2 = 0.9800000 ags = 1.5000000 b0 = 0.00
+b1 = 0.00
// *
// * subthreshold current parameters
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+voff = -0.1100000 nfactor = 1.0000000 cit = 1.9915700e-04
+cdsc = 0.00 cdscb = 0.00 cdscd = 0.00
+eta0 = 8.0000000e-02 leta0 = 4.0000000e-08 peta0 = 5.0000000e-14
+etab = -1.0000000e-02 petab = 8.0000000e-15 dsub = 0.5600000
// *
// * rout parameters
// *
+pclm = 1.6000000 pdiblc1 = 1.0000000e-02 pdiblc2 = 0.1200000
+pdiblcb = 5.7750700e-02 drout = 0.5600000 pscbe1 = 6.4335600e+08
+pscbe2 = 1.0000000e-20 pvag = 0.00 delta = 1.0000000e-02
+alpha0 = 9.3800000e-09 alpha1 = 1.0385719e-02 beta0 = 5.8915170
// *
// * temperature effects parameters
// *
+kt1 = -0.2961084 kt2 = 1.0000000e-03 at = 2.0456400e+04
+ute = -1.6500000 wute = -1.1000000e-09 ua1 = 3.8350100e-09
+wua1 = -2.0736400e-16 pua1 = 6.0000000e-23 ub1 = -7.4901900e-18
+wub1 = -1.7708197e-26 uc1 = -6.6000000e-11 kt1l = -7.4000000e-15
+prt = 0.00
// *
// * noise parameters
// *
+noimod = 2 noia = 4.4361E+20 noib = 1.0074E+04
+noic = 2.9928E-13 em = 1.039E+06 ef = 9.075E-01
// *
// * capacitance parameters
// *
+cj = 1.45e-04+dcj_nnt18 mj = 0.334 pb = 0.538
+cjsw = 1.63e-10+dcjsw_nnt18 mjsw = 0.0689 pbsw = 0.563
+cjswg = 6.60e-11+dcjswg_nnt18 mjswg = 0.0689 pbswg = 0.563
+tcj = 0.00246 tcjsw = 0.00122 tcjswg = 0.00122
+tpb = 0.00277 tpbsw = 0.00204 tpbswg = 0.00204
+js = 5.2e-06 jsw = 1.0e-13 n = 1.0651
+xti = 3 nqsmod = 0 elm = 5
+cgdo = 2.66e-10+dcgdo_nnt18 cgso = 2.66e-10+dcgso_nnt18 tlevc = 1
+capmod = 3 xpart = 1 cf = 0.00
+acde = 0.64 moin = 24 noff = 2.50
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very low Vt，接近0或为负，可用于reference中的curvature compensation，或是souce follower，或低压应用
借光问个问题，我用到了TSMC 0.18um工艺库的native mos，在HSPCIE仿真时它提示我输入模型名有误?TMSC工艺库文件里native MOS名为NANCH，难道NMOS模型名只能是NCH?这样的话，HSPICE如何知道我选的哪个管子呢?
在标准逻辑工艺中，有时候我们会见到Native MOS管，什么叫做Native MOS管呢?
正巧目前的一颗IC正好用到这个东西，于是询问，才知道Native MOS实际就是阈值电压接近为零的管子，实际上就是耗尽管。但是为什么叫做Native MOS呢? 原来是最早的MOS制程中由于氧化层带有电荷，很难做很干净的氧化层，所以做出来的NMOS，氧化层本身带有正电荷，导致未加正电压就导通了。当今这种阈值电压接近0的NMOS可不是通过氧化层中带电来完成的，而是通过调整沟道参杂来完成的。但是结果一样，于是还是叫Native MOS管。
这种Native MOS管一般只会用来做电容，用它做电容的好处在于，以NMOS为例，gate电压只要大于阈值电压，那么电容都等于Gate电容。而标准NMOS，当gate电压小于阈值电压的时候，NMOS电容等于gate电容和沟道耗尽层电容的串联，是电容值变小很多。所以在130nm制程之后，我们会经常看到Native NMOS/PMOS作为电容使用。(转自http://blog.sina.com.cn/s/blog_6f55e2aa0100n5mf.html)
native管其实就是做在epi（就是P-）上的nmos。具体来说，我们普通的所谓nwell的cmos工艺是双阱工艺，也就是在epi上长两种阱，非N即P，但是native管是直接做在epi上的，这个地方不做NWELL也不做PWELL。
该管子的特点就是低开启或者负开启，一般用在低压模拟电路中。
也有些缺点：可能不能完全关断或者漏电较大，某些情况下不适合做开关用；和一普通管子相比规则可能比较大，或者工艺最小尺寸比较大；epi的一致性或均匀性可能比阱差，所以管子特性的匹配性差一些。（转自http://www.newsmth.net/nForum/#！article/METech/168764）
刚好要用Native MOS做Pump电容
在TSMC的手册中有看到过主要用作电容 你可以找手册仔细看下
学习了
学习了。
学到好多····
学习了，多谢！
学习了感谢各位大神
学习。
谢谢各位大侠,mark 一下~
谢谢，知道了
学习嘘唏啊
mark一个，学习了
学习了
感谢分享~
流片的话，用零阈值电压管造价很高的说……
厉害了，学习