CMOS电路设计中击穿问题讨论
时间:10-02
整理:3721RD
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各位大侠,我在设计CMOS电路中遇到这样一个问题:
在RFID标签芯片的设计中,由于从线圈耦合过来的信号可能会过大(比如谐振的情况),信号电压达到10几伏甚至上百伏,这样标签芯片的内部MOS管就被击穿了,于是我就做了已个限幅电路,当信号过高时就把幅度降低起到已个保护作用,但是限幅电路本身又又被击穿的问题,不知道怎么解决,各位大侠!帮我想个办法啊!
在RFID标签芯片的设计中,由于从线圈耦合过来的信号可能会过大(比如谐振的情况),信号电压达到10几伏甚至上百伏,这样标签芯片的内部MOS管就被击穿了,于是我就做了已个限幅电路,当信号过高时就把幅度降低起到已个保护作用,但是限幅电路本身又又被击穿的问题,不知道怎么解决,各位大侠!帮我想个办法啊!
能否降低一下接收负载的阻抗?或者说把谐振的Q值降低?
降低负载电阻是一个好办法,但是在做降低负载电阻之前必须进行一个比较,大于一定值时并联分流电路才起作用,即使分流电路工作,还是会有短暂击穿的现象产生,不知道怎么处理
对此问题有同感,不太好解决啊!
限幅电路本身又被击穿
你的電路架構為何?
是否有一個參考電流源。
有的話,應該會被限壓才是。
输入端并联个zener二极管?
二极管限幅
Humm..