为什么讲POR（power-on reset）的论文这么少呢？没啥讲的？

作为一个reset电路，往往只在上电的一瞬间工作，没有精度等要求。可能是要求不严格，能实现就行吧，因此也就那几种架构。都用烂了，反正都能满足需求，且很多时候利用电源的上电过程就可以自己实现reset。

这个POR没有用过，胡乱分析一下好了。我用过的都很简单的那种。错了勿怪。
1、这个电路的关键部分应该在第6支路，从左向右数。在电源上升到N管开启之前，该支路通过P管对电容充电，直到使施密特N管打开，施密特输出为低，而驱动N管的为低电平，最终输出为高。
2、当电源电压继续升高，VB1和VB2为高，VB3和VB4为低，导致DEL_ON和DEL_BO为高，电容放掉储存的电荷，即施密特输入变为低，施密特P管打开，输出为高。最终输出为低。
即该电路是个高电平复位电路，稳定后总的输出为低，不影响电路正常工作。
3.在电容充电过程中，那最终输出电平如何确定呢?是最后一级分压，这在仿真中应该能够观察到吧?即rst信号在刚开始的时候会有一段低电平，然后迅速变为高复位信号，不知道是不是?

seeing

seeing

兄弟，太感谢你了 说的这么详细，最近忙着抢火车票都没及时回复你，实在抱歉
我只分析了上电的时候，（左数三条支路）就是VDD从零斜坡增加到1.8V,
<1>. 当0<VDD<VTH_N,最左边的支路不能导通，所以各点应该跟随VDD
<2>. 当VTH_N<VDD<2*VTH_N,最左的支路导通，由于电流很小，VGS约=VTH，最左边二极管连接的的NMOS的栅电压约为VTH_N，
所以左边第二支路还是不能导通，因为VDD-VG小于VTH，反相器的VB3为高，

<3>.当VDD>2*VTH_N,左边两条支路导通，反相器的VB3为低，充电结束

同求，最近要做一个AD里的POR

Thanks for ur sharing, learning more about POR.

learningPOR.

哪几种架构啊?能说说么

Thx，learning！

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learning por