关于开关电容中的沟道电荷注入效应，有一个问题请教各位！

在如图所示的采样电路中，书上都会提到沟道注入效应，即MOS管由闭合变为关断时，沟道的电荷会注入到Ch和Vin. 我的问题是：与沟道电荷相对应的应该是MOS管栅极上的反向电荷，所以当MOS管关断时，沟道中的电荷应该经由硅体、外电路（如连接硅体和栅的电源）与栅上的电荷中和，而不是注入到Ch和Vin。这就是我的问题，请教各位了！

中间是绝缘的。还有CGS等存储的电荷。

MOS管闭合时，栅为高电平，中间有绝缘层。但是当MOS管关断时，绝缘层会消失，形成栅--沟道电容的放电回路。

学习了,谢谢！

先学学半导体物理基础

当MOS管关断时，沟道中的电荷应该经由硅体、外电路（如连接硅体和栅的电源）与栅上的电荷中和，而不是注入到Ch和Vina