90nm的模拟电路设计相比于0.18um的难度在哪儿？

1) supply voltage is only 1V
2) poor r0

就像围棋到了宫子阶段

藤萝的空间小了

技术要求高了

注意leakage
考虑layout因素更多了
90nm电源可用3.3/2.5 1.2/1.0V

学习了，多谢

depends on what device option you are willing to use.if you use thick oxide devices, there is no difference between 90nm 0.18um design.if you use standard devices, then low supply voltage, small overdrive, poor device linearity, larger relative mismatches, and low Rout are all difficulties.

不错,学到一点

low voltage

我觉得阿
寄生比较重
电源电压低
漏电大
更要注意匹配

Thanks

I think Ro and I leakage is crucial problems....

都开始用90nm了?作模拟这个也先进了些！我们这还都0.5，0.35用着了。

学习了！赞

不错 值得一学

noise compensation?

漏电流太大，工作电压低了，还有工艺的偏差对电性能的影响也更严重

晶体管小尺寸效应更显著了，准确的器件模型更难得到

Gm很难做大！

xue xi le ,xue xi

大家说的都很好

发言的有几个人做过90n的呢?！
都是人云亦云。
不过说的都是蛮对的！

这里有很多

90nm的基准电路一般都采用什么结构啊?

thanks！

日本人写了骗IEEE的文章。估计是采用那结构吧，将电压温度特性转化为电流温度特性实现低压温度匹配。
瞎说的。误导请见谅。

祝福中秋佳节快乐！
祝福中秋佳节快乐，月圆人圆事事团圆。人顺心顺事事都顺。祝全家幸福、和气满堂、合家欢乐！

------------------
上海礼品公司

你们都做些什么产品啊?

高增益，低功耗，难做！