急问_为什么Specture方针时总报下列一个warning！
I0.I20.M0: The bulk-source junction current exceeds `imelt'.The results
computed by Spectre are now incorrect because the junction current
model has been linearized.
I0.I20.M0: The bulk-source junction current exceeds `imax'.
I0.I20.M0: The bulk-drain junction current exceeds `imelt'.The results
computed by Spectre are now incorrect because the junction current
model has been linearized.
非常不理解为什么，就是把那个MOS管的宽长比加大好几倍也会出现这种情况
并且好多个单元都会这样，流过传输门的电路也不大，大概也就有3~4mA吧，可是管子的宽长比已经接近100：1
了。
鄙人感觉非常迷惑！
请求高人解答。
谢谢！
改正几个错字
Warning from spectre during IC analysis, during transient analysis `tran'.
I0.I20.M0: The bulk-source junction current exceeds `imelt'.The results
computed by Spectre are now incorrect because the junction current
model has been linearized.
I0.I20.M0: The bulk-source junction current exceeds `imax'.
I0.I20.M0: The bulk-drain junction current exceeds `imelt'.The results
computed by Spectre are now incorrect because the junction current
model has been linearized.
非常不理解为什么，就是把那个MOS管的宽长比加大好几倍也会出现这种情况
并且好多个单元都会这样，流过传输门的电流也不大，大概也就有3~4mA吧，可是管子的宽长比已经接近100：1
了。
鄙人感觉非常迷惑！
请求高人解答。
谢谢！
能把电路图贴出来么，看一下
平时好像仿真不收敛的时候经常会有这种warning
我觉得这是仿真器的问题，通过很复杂的矩阵运算求解，有可能解越来越大，因此出现什么超过最大电流这类的warning
我个人觉得没有必要修改管子的尺寸，如果能收敛，关注结果就可以了
有的时候是激励源设得太陡了（例如上升时间设得很短1ps）会出现这个问题。
二极管的正偏电流大于了模型中的最大限制
imet是指能够融化器件的超大电流！电路仿真有时流过MOS器件的源漏到衬底的寄生二极管发生正偏导致极大电流，从而迫使Spectre将这个非线性器件进行线性化来得到一个收敛解，但此时的结果已经不太准确了！
通常有两个原因导致会出现这个问题：1、模型中的寄生（特别是与二极管串联的电阻）没有。2、电路工作条件设置得不太合理！
我也碰到过类似问题，学习一下
I think any warning message cannot be neglected unless it is truly recognized. As specified, if the device is used in transmission gate, I think its bulk is connected to wrong place. You can try to connect it to its source if it is pmos.
学习了
请问你最后怎么解决这个问题的，我仿真时也遇到这个问题了，非常麻烦，请多多指教，万分感谢！
一般都是电路激励出了问题，先检查一下电压源电流源加的对不对，地有没有悬空没接的。不会是因为管子尺寸问题。
吧图贴出来！
这个完全不明白，很不错！
我也遇到这个问题了，激励应该是不会错的，我是直接把另外一个仿通了的电路里面的激励复制过来的，但是还是有warning，谁能给解答一下啊?
遇到这个warning我都一直无视，至今没发现问题
通常出现这种问题有几种可能：
（1）如果一直有，并且导致不收敛，通常是有吧电流源idc方向放反了，或者是把bias支路的enable管子关了，或者是bias通路上有管子太小，由于理想电流源电流不变，导致电流源输出点电压过高，从而导通MOS的反偏寄生diode。
（2）还有可能就是tran分析时，分析的起始时刻，电路不稳，导致瞬间出现这种warning，通常在很快消失。这种情况出现在有电感时，或者对电容设置初始值时，或者是当tran分析得不到稳定DC点，而skip DC点时，容易出现。还有就是带入寄生的bonding，package model，或者是其他有感性的东西。
（3）还有就是不收敛时也会这样。这是由于simulator不收敛，导致电压出现很大的值，有这个问题。
解决方法：查，具体问题，具体分析。
16# seawang
难道衬底接错了?
经常有人搞这个飞机的,结果pn结正偏了
我把报错mos管的m值从1改成了6，就好了。
谢谢分享
是衬底的电流过大，你这要是个开关电路在启动时碰到这个问题就没事。是寄生LC振荡产生的衬底pn结正偏，实际中不会碰到这个问题。
Don't put the initial condition into the circuit which was causing your trouble.
我也出现过这种问题，一检查发现，nmos的衬底接的VDD，改后就ok啦
来学习了~
nmos 的衬底接vdd?这样n型衬底和p型源、漏之间的PN juction 不就正向导通了么?
之前把nmos的衬底接VDD了，改成GND后就ok了，没说清楚，sorry
今天跑后仿又出现了这个问题，原来是修改spectre这个symbol的时候把激励源的VDD和GND写反了
试试将源衬相接
我现在仿真分析的charge pump，它一开始利用寄生二极管充电，稳定工作时，寄生二极管会被反偏，然后仿真会有这个warning，请问，这个warning会不会对电路分析造成影响?
如果反偏时出现这个worning是没什么问题的，Model不好。
一语惊醒梦中人啊，苦恼两周了，原来是我的方波信号上升下降太理想，没有延迟导致的