对Bandgap 的layout应注意哪些？

同问！

电路和layout共同完成‘
电阻种类选择
三极管中心对称，如8：1的，中1外8
电路使用外部可调节的校正电阻之类÷
。

谢谢。
使用可调节的校正电阻，外部指芯片外部吗?如果是的话外部电阻的温度系数等等需要考虑吗?

注意电阻，mos管的匹配。尽量减小offset。

好的bandgap需要降低由于工艺引起的offset就可以了，否则"吹"得再精确温度系数和电源调整率也不会很好。
所以对衬真的很重要，无论电流镜还是差动对。
至于精度问题和温度系数完全是"吹"出来的。

我也想知道，layout的注意事项

周末有空做点贡献
最重要的是匹配，所谓对称的概念是错误的
最关键的是PNP管的匹配，采用1：8的比例可以采用3*3的排列，中心的是1，注意连线的宽度可以尽可能大一些；
其次，注意运放电路的器件匹配，尤其是差分输入对管以及电流镜像的管子
电阻注意尽量采用poly电阻，尽管阻值低，但是温度特性很好，Nwell电阻温度特性太差
电阻的匹配做好
布局注意一下信号的走向尽可能从左到右，上面是电源，下面是地，有可能的话多接地
做好这些，基本你的设计一定能实现

小编做的这个bandgap的目的是温度特性，还是bandgap的电压绝对值的精准啊
个人理解运放的失调电压很重要， 假若有-10mV到+10mV的失调，而这个电压就直接加在Vt lnn 上，那再乘以 (R1+R2)/R1， 那
该是多少啊 ?所以这个电阻的比例越小越好，当然这个要看PNP管子的温度系数是否够小,要看工艺。
还有，一般bandgap两边流的都是PTAT电流，那个值是 Vt lnn /R1 ,R1在工艺上有多大误差，这个PTAT电流就会有多大的误差
，而这个电流留过PNP管，又有电压的误差了，不过我认为这个误差较小，因为二极管电流和电压之间的指数关系。

好像有误啊?

“那个值是 Vt lnn /R1 ,R1在工艺上有多大误差，这个PTAT电流就会有多大的误差”这个确实可以忽略不计的！

vpnp 要 match
POLY R 要 match + dummy
MOS 要 match
Clean ground connections.

“pnp24：1”为什么比8：1的好?有论文说明吗?

是否有網友可以分享想關的書籍,因為這是很重要的設計領域

见过的都是8：1的，pnp24:1 我想主要不是匹配的问题，是为了增加50% lnn ? 这样就可以用上更小的 (R2+R1)/ R1?
这个面积的代价好像大了点

bandgap 的match是很重要，不过十几mV是正常的
想象那个opamp，就是多少个mV 的offset了
还有所有的电流镜，电阻，vpnp
前面大家提到的vpnp 8:1和 24:1，
但是一直疑问还有最终产生电压的还有一个vpnp需不需要match呢?
我觉得也要吧！
要把这些做一起，比例就不一定是以上的比例关系了！见过10:1:1的，正好是3X4也挺好的
关于process variation的问题，我觉得
1）vpnp的pn junction的doping 影响最大，
2）其次是电阻阻值导致current variation，使得vpnp的Vbe电压变化其次（delta Vbe随corner变化较小）
3）mos的corner 影响很小
以上的偏差都可以推公式计算的

受教了~

有流片经验没有哦

所谓的匹配和对称是什么关系?

继续讨论，呵呵，学习下！
重要部分的对称、匹配以及衬底的连接，还有中测得调节。

razzvi书上有公式，为了减小Vos的影响

问一下，周围放电容是什么原因呢?

首先需要看你做的是电压源还是电流源
其次要当心电阻的匹配
输入对管采用四方交叉一般来说可以达到较高的精度
最关键的当然是三极管的匹配咯！

BJT layout must close

这个说的正理，带隙中核心PNP或NPN都要match

做过NPN10：1的带隙，三极管的布局对称成5：1：5，也是可以实现match的。

matching of R, including parasitic R
matching of opamp used, trying to take care of Vt mismatch and device mismatch
Pay attention to layout

BJT匹配好，一般是1：8共质心结构，运放离BJT的距离尽量近点，电流镜要匹配好，注意multiple与finger的区别，特别是对够到长度比较短的器件，如65nm工艺。比例电阻采用同样类型的电阻，两边加电阻做dummy。