请问SiGe工艺和CMOS工艺的噪声哪个更好一些

详细比较，没那功底，一般来说SiGe工艺要好些。
当然也看工艺尺寸和设计技术。

SiGe工艺要好了，由于它内部的特殊异质结结构，使得它的基区载流子在附加的电场情况下移动更快，这也就促成了它的特征频率要比CMOS工艺高，在噪声性能上要优于CMOS工艺，适合低噪声放大器的设计。

对于噪声性能而言，SiGe工艺的优点是可以做出性能好的BJT管，由于BJT管中载流子是垂直于硅界面运动，它的1/f噪声要远小于CMOS管。也是因为这个原因，常规CMOS工艺中PMOS的1/f噪声小于NMOS，因为调整PMOS管Vth所需的离子注入导致PMOS沟道中空穴在栅氧与硅界面以下运动，SiO2/Si界面处的界面态对载流子的运动干扰相对小一点。

SiGe它的特征频率要比CMOS工艺高，在噪声性能上要优于CMOS工艺，适合低噪声放大器的设计
SiGe的Gm/I 比CMOS工艺高

领教了，感谢大家

讲得不错

谢谢耐心解答

学习了。

学习了。

这么说， jazz工艺库里面的bjt管子要比cmos管子的特征频率和噪声性能要好了

120G up

噪声好坏也看设计，CMOS很多trade-off和其他方法改善噪声。
模拟电路热噪声影响往往和带宽有关，kT/C。
BJT的1/f 噪声比CMOS好。

学习了！

请问一下，为什么常规mos管的高频噪声比BJT的性能差?如何减少mos管的高频噪声呢

学习了~

请问为什么载流子垂直硅界面1/f噪声小呢?

1/f噪声的成因有很多种，而对于半导体而言材料缺陷是最主要的部分之一。材料体内的晶格周期性和完整性，对比起满是悬挂键的Si/SiO2界面显然好的多，因此1/f噪声更低。

学习了 但是对于载流子垂直于界面1/f噪声小这个疑问该怎么解释呢?

一样啊，载流子垂直界面运动，其运动轨迹在材料体内，界面只是个入口/出口，缺陷的影响就小了。

明白了 多谢前辈！