晶体规格书上标注的振荡频率是怎么计算出来的呢

上图是爱普生的一款晶体的规格书，标称的振荡频率是19.2MHz，
但是我用他下面的电容电感怎么计算都不是19.2MHz，都比这个值大
不论是串联谐振频率，还是并联谐振频率
请问这个振荡频率是怎么计算出来的呢
假如理论计算计算出来的就是偏大，那么我设计的晶体振荡器，最后振出来的频率
是不是也是偏大，那后面的PLL什么的怎么用啊，参考频率本身有偏差了
谢谢

1/2pai*sqrt(L1C1)=19.2M啊
没问题啊

串联谐振频率算出来是 19.2007MHz，这个已经有36.5ppm的偏差了实际上使用的时候用的是并联谐振频率，那么偏差就更大了
所以实际使用中，振荡频率是不是就不会很准确的是19.2MHz了
因为对于DCXO中的频率精度要求，现在都要求0.1ppm的
我说的对吗，请指教

0.1ppm?精度较高了

1.频率可以通过负载电容调节
2. 0.1ppm是不是太高了。手机里面的xo一般正负20ppm吧

spec给的是晶振等效模型，方便你设计驱动。
实际影响频率的主要是晶振本身偏差与负载电容偏差。

GSM/LTE Transceiver的内置DCXO，都要求做到0.1ppm的，这是系统要求的搜一下DCXO的论文，都有这个要求说明的

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