关于 crystal设计,起振后无法快速锁定,求高人指教
时间:10-02
整理:3721RD
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第一次设计crystal,有许多细节不是非常了解。指标是16M晶振,要求锁定时间1ms以内,频偏<20ppm。
目前仿真出来,起振时间500us左右
但是锁定时间比较久,可以看出来1ms以及之后,频率一直在衰减。
C3应该是对起到稳定偏置的作用,但对其大概的数值以及量级不是很清楚。
还有RF应该是MΩ级别的,大概设置多少才合适也不是很清楚。
有没有做过这种crystal的前辈,可以给晚辈指点指点。不甚感激!
目前仿真出来,起振时间500us左右
但是锁定时间比较久,可以看出来1ms以及之后,频率一直在衰减。
采用的是下面这种单NMOS管3-point式的负阻结构。
C3应该是对起到稳定偏置的作用,但对其大概的数值以及量级不是很清楚。
还有RF应该是MΩ级别的,大概设置多少才合适也不是很清楚。
有没有做过这种crystal的前辈,可以给晚辈指点指点。不甚感激!
負電阻接近正電阻時,頻偏最少~
所以要鎖定再快一點,負電組加大應該就可以了!
谢谢回复!
那您的意思就是加大N1管的gm,是这个意思吗?
但是我的gm已经设置到起振时间最短了,还要继续增加的话,起振会变慢。
我仿到3ms的时候,还有20Hz/1ms的频率衰减,不知道是咋回事了。