两种方法分析gain boost结构噪声结果完全不一样，求教

如下图所示，是gain boost结构简图，如果只考虑运放的噪声Vn，求解输入等效噪声。

方法1：考虑Vn完全跟随到X点，X点通过M1的小信号电阻ro1产生小信号电流Vn/ro1,于是，输入等效噪声为Vin=Vn/(gm1*ro1)
方法2：考虑Vn完全跟随到X点，造成X点相对静态平衡点偏差了Vn，如果用Vin来修正改点电压偏差，需要的输入电压为Vin=Vn/(gm1*Rx). 其中Rx表示X点的电阻，由于运放的作用，Rx电阻会非常小，粗略估为1/(gm2*A1),这从直观上看也很显然，即X点的电位基本保持不变。
将Rx代入前面所得公式，那么Vin=Vn/(gm1*Rx)=(gm2*A1*Vn)/gm1

很显然，方法1的结果认为Vn等效到输入端是变小了，方法2的结果是变大了，而且变大了很多！
求教，哪里出问题了呢?

方法二，X点的电阻计算有误吧

我是这样算的，你看下问题出在哪里，假设X点一个电压变化V，那么运放输出电压变化-A1*V,于是M2的栅源电压变化为-(A1+1)*V.
这一电压变化对应于小信号电流gm2*（A1+1)*V,约等于gm2*A1*V，所以小信号电阻是1/gm2*A1

哈哈，题主想明白了吗?

由于运放的存在，X点就像是恒压源，怎么可能是高阻呢，小编推导是对的。

方法2的问题在于，你的目的不应该是修正Vx保持Vx不变，而是要保证输出的noise不变。如果你保持Vx不变，运放正端的Vn不就直接被放大出去传了吗

目的不是Vx, 原来如此！多谢！
不过能否再解释下，“如果保持Vx不变，Vn就放大出去了”这句。虽然我感觉理解到了一丢丢，但是还是你来说下更好

我感觉也是方法二中X点小信号电阻算错了。
既然在方法一中承认X点存在M1小信号电阻ro1，那怎么在方法二中又否定了呢?

应该说考虑的方法不一样，方法1中是以Vn到Iout的跨导来考虑的，其实本质也是认为gain boost结构使得跟随器的输出阻抗很小（这等同于方法2中得到的输出的阻抗，所以阻抗这点并不矛盾），进而可以使得Vx近似为Vn，
方法2中,待解决

受教

题主：
问题二的噪声等效有问题。
看明白了吗?
这个问题还搞不懂，该打屁股了。

天资愚昧啊，还是没懂起，相关噪声问题?我对相关噪声没概念啊。
打一顿能懂也行啊！
还请说详细啊，

mark标记一下，也有些糊涂

如果从上方流入NMOS的电流源是ideal的，阻抗无穷大，X点的输出电阻应该不会是1/(gm2*A), 而还是ro1吧。因为上方是电流源，从S端看上去的阻抗都是无穷大

嗯 无非就是第一种方法比较直观，第二种方法具体算一下好了