请教一个bandgap仿真结果的问题

size完全一样?都工作在饱和区?

完全一样，dc仿真出来两个管子的参数值也基本一样，就是仿noise出来是不一样的，相差较多。

完全一样，dc仿真两个管子的参数也基本相同，就是仿noise时发现相差比较大。

而且M7和M8作为PMOS，它的闪烁噪声不是应该比下面NMOS小吗，为什么反而比较大，我的M7和M8的W和L都已经取得很大了。

你说的是他们对输出噪声的贡献对吗?
为什么不自己去推一下两个管子的噪声电流到输出端点传函呢

谢谢你的建议，我想了一下，两个管子完全一样，支路也基本对称，那传递函数的表达式也应该基本相同吧（新手的理解），那差异就来自于表达式里的参数，但是基本对称的两个东西，为什么会有参数上明显的差别（因为我发现两个PMOS的等效电阻还是有差别的），难道是电路里面正负反馈的影响，而且为什么就只是PMOS有不同，下面的NMOS仿出来各个参数都基本一样的。

既然是新手，就不要靠想的，自己画小信号图认真推，因为你想的根本就是错的。

M7 and M8 dain voltage is different

谢谢你的建议，我可能表达得不太好，其实根据你的第一条建议，我已经知道是传输函数的不同，而且通过计算也知道是因为两个管子的等效阻抗不同引起的噪声不同，现在问题的关键就在于为什么两个管子的等效阻抗会相差大概一倍，我已经有用小信号推过，就是觉得自己推的不对才会继续问你的嘛。