LNA工艺角仿真时，噪声系数variation较大，怎么优化？

求助小编大牛;
本人是射频菜鸟，目前在做2.4G的窄带LNA，工艺角仿真时噪声系数variation变化较大2.2dB左右，主要是SS（125）工艺角下噪声系数恶化比较严重，尝试用PTAT电流优化温度变化引起的variation，但PTAT电流本身在SS工艺角下，电流下降比较大，相比理想电流源时更差了，仿真结果显示，片内输入电感对variation的影响比较大，但减小电感会对输入匹配影响比较大，不知道如何取舍
请问各位做过2.4G LNA的，一般噪声系数variation要求是多少?如何优化MOS管本身导致的variation?温度变化引起的噪声系数变化如何优化?

自己顶一下，求各位大牛指点迷津啊

Thank you..................

zai ci gan xie........................

啥情况?

同问，variation太大