mos开关中的电荷注入和电荷馈通效应都是指在开关关断时的效应吗？

Charge injection (电荷注入?)通常是指在开关关断时的效应;但clock feedthrough(电荷馈通效应?)并非只发生在开关关断时,只要删极(gate)电压发生变化,都会引起或多或少的clock feedthrough.对不起,不知中文翻译有没有对上号.

应该是开关开通和关断都有的。
只要gate电压发生变化,都该有对应的时钟馈通

有相关资料吗?

电荷注入发生在开关关断瞬间，是由于关断时沟道内的电荷需要散掉才能是沟道真正消失，然后才能进入截止状态；
时钟馈通是由栅极与漏源区的交叠电容引起的，栅极时钟电压的变化耦合到了源漏端。
参考资料：《高等模拟集成电路》 P.55
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楼上居然挖出了三年前的帖子，佩服佩服！

栅极存放电时，都有沟道电荷改变，从所连接节点吸走电荷或注入电荷，都属于电荷注入效应。所有相关问题都是从这里引出的。

怎么消除影响！

开关闭合后，注入的电荷会流向低阻抗点，不会积累在电容上，因此不会造成影响。但断开时电荷会被“孤立”在电容上，所以会改变电容上的电压，进而对电路性能造成影响。

感谢分享，谢谢啦

从前看到尾，没有再看到几年前发帖回帖人的消息。自己解决了问题，就不再关心后人能不能解决相应的问题了。如果我们都能够做到乐于帮助别人，而不是只会从别人那里寻得帮助，我们整体的水平乃至国内的发展水平会不会有所上升呢?

要么将主晶体管的电荷通过另一个晶体管消除，就是加一个虚拟开关，第二种就是将P管和N管结合起来！

BUCUO

很喜欢你的解释，感觉很到位

Charge injection or Clock feed through只是定義
一切都是物理現象
別太拘泥在文字中了
Analog Design必須化繁為簡
好好運用邏輯思考才是你最大的武器