bandgap trimming中遇到的问题

大家好，我的bandgap在nom和fast两个工艺脚下仿真出来的温度曲线如下图所示：

如果从温度曲线曲率的最优化角度出发结合图中所列的公式（1）可知，在fast工艺角下应该增大电阻比值（R1/R2)。
然而，在实际trimming过程中，在trimming温度T下，测量得到fast工艺角的bandgap电压值相对nom工艺角要偏高，所以一般又会通过减小电阻比值（R1/R2)来把fast工艺角下的片子往nomal值吹。
那么，问题来了：
这样设计出来的bandgap, 越trimming，温度曲线斜率越差。这就是单一温度点trimming带来的弊端。
想问问大家，在设计bandgap时，有碰到过这种问题吗?就是bandgap曲线曲率优化方向和bandgap单一温度点trimming方向不一致。
希望大家告诉我，为什么会出现这个问题，怎么解决这个问题呢?
先谢谢大家了！

从你的描述来看，你更在意的是bandgap的值，而不是温度特性，如果要trim温度特性，只测量一个温度是不够的。

你的意思是，单点trimming一般都是针对bandgap的值而言的，如果要对温度曲线trimming，一般就要用双点了，是这个意思吗?
最近刚刚开始做bandgap，非常想知道业界在实际产品中，是怎么处理我遇到的这个问题的。
先谢谢啦

我也没做过要求很高的bandgap，但是从你的问题出发，针对vbg这个值，我认为温度特性和绝对值只能trim一个。如果你在意温度特性，绝对值很可能不是你期望的。如果还想搞定绝对值，必须另外加电路，比如buffer之类的，去trim buffer之后的绝对值。

MOS offset (AMP offset) 温度系数几乎为0，它会使温度曲线上下平移，这时若用R2/R1来补偿此offset带来的误差，对于tempCO来说就适得其反了。
解决方案1，优化结构，使MOS offset误差最小化，小到满足指标要求。
解决方案2，两套trim code，一套给温度，一套给电压绝对值；给温度的只在sample阶段用，即根据30颗左右的温度数据，得出最佳温度曲线的code。量产只在室温下，调另一套。

诚聘：实习生，电源管理 或 模拟 IC设计方向，沪上在读硕士生优先。
待遇：(40小时/周) 3000RMB/月，或 (30小时/周) 2500RMB/月。
工作场所不限，有意联系 leehying@163.com

最简单的方法，不trim bandgap内部的反馈电阻作为电压trim或者可以作为温补trim,trim电压，在后面加一级buffer或者分压电阻作为电压trim

banba~

你应该是电阻ff下吧，电阻在ff下比例基本是不变的，只是电阻的绝对值变化，电阻绝对值的变化会引起电流的变化，电流的变化会引起Vbe的变化，最终引起输出的绝对值和温漂同时变化。

好帖子，最近在做Bandgap，受益

好贴，学习了