两个nmos管串联下面的mos管为什么下面的一直在线性区

上面的NMOS如果要开启，那么它的G必然比S要高出VT0；
那么下面的NMOS的G必然比D要高出一个VT0(两个管子的G电位一样，上面的S就是下面的D)；
那么下面的管子不就在线性区域吗！

正解！

学习了

能详细解释下吗?我想知道G比D高出一个VT0为什么就会到线性区了呢，我不太理解如何让管子进入线性区

能详细解释下吗?我想知道G比D高出一个VT0为什么就会到线性区了呢，我不太理解如何让管子进入线性区

小编前几天是不是参加了某公司的笔试?

vg-vd>vth vg-vth>vd vgs-vth>vds这不就是liner区么

modeling =?

看小编的问题，应该是指的2个NMOS管Vg短在一起的情况。
那么当有电流I流过这2个NMOS时，下面管子M1的Vgs1 〉上面管子M2的Vgs2 （因为Vds1〉0），要保证I1=I2，则必须是M1在线形区，M2饱和区。

做电阻的。

为什么上面的管子一直是饱和区

它们的I-V特性上有什么差别?

学习学习

那要是上面nmos，下面pmos，等效成一个mos管该怎么解

那要是上面nmos，下面pmos等效成一个mos管该怎么解