请教：失调电压是如何影响bandgap精度的？
但在实际工程中，我们通常并不把bandgap trim到同样的一个值，而只是trim到大多数bg都是0温度系数，那这样的话offset如果是与温度无关的，Vos就完全不影响bg的TC了。我们是否在设计BG时要花大力气减小offset呢?这样有意义吗?
尽量减小VOS是为了更好的进行TRIMMING,因为TRIMMING是为了解决（如VOS存在，电路不对称，掺杂不均匀等等一堆整合起来后的）XXYYZZ 影响BG的TC问题，但是很不幸
我们TRIMMING的是定值（或者认为是1阶补偿），运气不好的话还是不能很好的解决TC问题，所以只能尽量减少BG的高阶影响以便TRIMMING的定值可以以最好的方式调整TC，所以还是要尽量减小VOS，采用对称电路结构等等方法来设计，以便在高CPI的今天谋得生计，为四化建设做出贡献
楼上的意思是说Vos是高阶影响?能说清楚点吗我这个不是很理解
不过vos事实上是和温度相关的(主要是Vth的影响),所以我觉得从这点来看vos还是越小越好
其实我在想，这个OS有办法估计吗》
版图上我们都是尽可能 匹配
假如没有匹配这种问题有可能 是工艺产生。这怎么调整呢。
谢谢你的回答。有一个疑问，‘我们trimming的是定值’，这个定值是怎么得到的?spec要求的值吗?还是我们通过bg公式计算出来的0温度系数对应的值? 如果spec和计算出的0温度值不能同时满足怎么办呢?
一般最笨的方法，测试晶圆数据-->>等效出TC的变化范围并优化规律<<-->>将测试数据的变化显示在BG公式中 看如何补偿<<-->>仿真及TRIMMING实测的实施比较
失调电呀
谢谢您的回答，这方面我也不是很清楚
关注中
关注中
我在想能不能把VOS CHOPPING 到高频(<OPAMP GBW), 来减小OPAMP的VOS, 这样减少了一部分每块芯片上电后都不相同的因素(部分VOS), TRIMMING的准确度应该会提高一些
3xsharing
学习中
关注中， 失调电压 对比与输出电压 比例很小 5% 已经是非常大了，如果失调电压的温度系数 对整个band-gap reference 输出产生较大影响，那么就要求失调电压的温度系数要很大（Vt应该没有这么大的温度系数）所以个人感觉如果温度系数大于100ppm, 那么就不用考虑失调电压的温度系数了，否则band-gap reference 结构上也要同时做优化，必须考虑bipolar的2阶温度系数补偿， 这种高精度的参考源设计中， Vt的失调会很小，几个mV最大，所以也不用考虑Vt失调的温度系数
band-gap reference 最大的失调实际上是bipolar 不同的工艺corner 造成的 cmos工艺做出的变化就是这么大没有办法，除非换bipoar or bi-cmos process
以上是个人的理解
MARK。
失调电压影响到bandgap的初始值，比如output=1.2v+-20mv, 20mv 的误差很大一部分就是由offset引起的。这是片与片之间的误差,如果单片来考虑则不存在这个问题。
现在都可以用Chopping来消除运放的offset，后面用norch filter对chopper的影响加以消除即可。这种方式可以一劳永逸