请教VCO的设计

刚刚开始设计VCO，之前觉得只要振出一个想要的频率应该挺容易的，事实上好像没那么简单。不知道是不是寄生电容参数算的不对的问题。用的是常见的交叉耦合的lc tank 的结构，在cadence里，作DC分析后，直接看管子的DC Operating Point，这样得到的寄生电容参数有什么问题吗?
还有一个问题是，对这种交叉耦合的结构，从负阻的角度看，一种起振的条件是负电阻要比要比等效电阻大，这样得出管子的跨导就小于某个值；另一种是负导纳要比等效导纳大，这样得出管子的跨导就大于某个值，这两者怎么选取。在一篇论文里看到，要看电流是接近正弦的还是电压是接近正弦的，但不知道为什么。
麻烦知道的解释一下，多谢了

对于只用NMOS做交叉耦合对的LC VCO，NMOS做交叉耦合对提供的负阻为－2/gm，起振条件为gm》a .2/Rp ，Rp为LC回路的等效并联电阻，a为起振安全因子
对于同时用NMOS,PMOS对提供负阻的LC VCO， 提供的负阻为－1/gm， 起振条件为gm》a .1/Rp

多谢！起振条件为，起振条件为gm》a .2/Rp ，是根据负导纳比正导纳大得出的吗?而不是根据负电阻要比正电阻大得出的吧?这里的Rp不是一个LC回路的并联电阻，而是两个两个串联LC电路的等效电阻，对吗?

起振条件为，起振条件为gm》a .2/Rp ，是根据负导纳比正导纳大得出的吗?

是的，对于NMOS、PMOS互补交叉耦合的LC-VCO，NMOS、PMOS互补交叉耦合对提供负导纳－gm，起振条件 gm》a×Gtank，Gtank为谐振回路的等效并联导纳Gtank＝1/Req， Req主要由回路的电感寄生电阻等效而来

如果从电阻来考虑，NMOS、PMOS互补交叉耦合对提供的负阻－1/gm，起振要满足 Req－1/gm》0，于是gm》a×1/Req， 与上面的分析是一样的

学习学习

負阻比阻抗大就不起振拉

如果从电阻来考虑，NMOS、PMOS互补交叉耦合对提供的负阻－1/gm，起振要满足 Req－1/gm》0，于是gm》a×1/Req
正阻大于负阻，网络能量消耗大于补偿，系统震荡不就慢慢衰减了?

为什么?

学习了。