关于工艺角corner的疑问

在做电路仿真的时候，大家都会跑除了tt以外的几个corner，都通过了才算电路功能正常是吧。
初学者的我，一直都不大明白，这个不同的corner，就是tox和vth的漂移不同，那这是指在一个corner下，所有的管子都漂移一个定量，还是在一定范围内不等值的漂移呢?还有就是，这个工艺角的仿真，真的能够模拟出工艺上的误差么?
多谢啦，这学期做本科毕设，好多东西都不会，望大家指点啊

n和p可以做不同的组合

就是把所有最极端的情况拿来跑

看vt, idsat的 corner，通常不会改oxide的厚度吧。

一般做极限的情况吧。就是SS SF FS FF。
如果想全面点应该做MC分析吧，模型一般都有相关MC分析。
两种方法似乎都可以比较全面地反映工艺。

新手，不懂ｃｏｒｎｅｒ，望高手给详细讲一下，谢谢！

好，谢谢

简单的说, 就是模拟各种实际的工艺偏差情况！
但是,这也不可能涵盖所有的情况的,工艺的不确定因数(还有layout的)等等比较多

哦。

corner simulation分析的是最坏情况。
扩散时的温度差异和刻蚀过程中的压力差使晶体管的参数分布并不均匀，大家基于这这些统计的参数空间，建立了能够描述开关时延迟的息的模型（参数→电流→时延），这些参数空间也就是我们常说的工艺角，以偏离器件参数平均值的＋/-3sigma为标准，＋3sigma表示开关比正常的快（fast corner），－3sigma比正常开关的速度慢（slow corner）。
对于模拟和数字的工艺角分析好像不同，具体也不太清楚了。

hspice_vY-2007.03_Win_setup

所谓CORNER角就是工艺的冗余度

基本同意。在做产品时，由于考虑量产率，一定要做工艺角分析。

corner分析主要就是TT,SS,FF,FS,SF

The process results many inaccuracy during manufacturing. Thus, corner test is needed to be taken.

学习了
SSFC FFSC 又是什么呢

路过~

路过学习

有没有关于如何对corner进行仿真的资料啊?

怎么才能协调各个corner下的电路参数的调整?

corner=worst case?

trimming

有没有关于如何对corner进行仿真的资料啊

trimming

搞不懂什么东西啊

学习了

got it. Generally, do the tt simulation first and do other 4 types simulation later.

请问MC分析是做什么的?