请教在在设计BandGap时遇到温度系数一直偏大的问题
根据此电路可以得到VREF=Iptat*R0+VBE，Q4，电路是在1.8V电压源下工作，我在仿真时根据仿真得到的Iptat曲线，计算出它的表达式，并根据仿真得到的VBE，Q4曲线，大致得到VBE跟温度变化的关系，然后通过两个曲线的关系式，得到最好的温度系数时所对应的R0的值，但是在用理想电阻时温度系数也只有30ppm左右，我看到很多论文上都做到了10ppm左右，甚至更小，而且我在把电阻换成工艺库下的电阻后仿真，得到的温度系数更差了。上升到48ppm了，求问各路大神，现在在这个结构下还该怎么改进或者调试?
先发个输出电压对温度曲线来看看
這是二次曲線補償技巧，每家公司各有其方法。其實自己來發掘還滿有趣的。
我只能告訴你方向，剩下的你自己摸索會更有成就感。
首先找出為什麼PTAT跟NTAT互相抵消之後為什麼不是玲溫度係數?原因就是PTAT曲線沒有那麼直線，NTAT也是。
再來，就是運用一些MOS或DIODE組合成你要的曲線的電流，用電流鏡並聯到PTAT電流來補償達到你要的曲線，記得補償只能取些微的電流補償，不要想要大量的補償，否則會越補越糟。同時VREF那路徑的RES跟PNP也可以併聯如上述的電流來補償。
其他自己琢磨，住好運。
即使没有其他高阶补偿，也不应该有48ppm这么大吧。可以分别仿下25，-40，85下的工作点，检查一下是哪里出了问题。
不同種類的電阻有不同的溫度係數，改一下種類。
R0,R2用相同的电阻，另外为什么电阻电流不一样，但是MOS管电流又是一样的?
R0和R2开始时我用的是不同类型的电阻，后来改为相同类型，主支路电流和Iptat电流大小是一样的，只是在小数点后4位有点差别，这是可以接受的吗?
谢谢！
改了电阻类型不同之后，最后的温度系数会变差，只有在电阻类型相同时温度系数才稍微好些
我看图上显示R2是1.2u，R0是1.0u
非常感谢！我疏忽了这个地方，这个地方我需要好好分析，另外我想问下：这种结构，可不可能把VREF的TC值降低到10ppm以下啊?
感觉在典型工艺角下勉强吧，个人经验也不是很多。
二阶补偿只是理论而已，实际工程一般都是一阶补偿
就是说一阶补偿出来的温度系数比二阶补偿要好吗?
谢谢！
理论上不会这么低的。你的电流镜的L是多大呢?每一路电流大概多大?两个电阻是要匹配一起的哈
电流镜的L主路跟支路值大小相等，电流大约在1uA左右，电阻选一样的类型的
二阶补偿一致性不是那么好
你的电流可能太小了，电流做成4uA左右试试
这个曲线如果不采取其他措施，完全由电路架构和工艺决定的，不会变化的的，我觉得峰峰值5个mv完全OK啊
电阻补偿的思路是对的，可是你得注意一个匹配度的问题，或者说是设计的规则程度，电阻可以先设好一个大小，然后去修改segment，这样的话，比较规则的了，毕竟分成一块一块的对芯片也有好处，MOS管也是一样，尽量修改M，不要去过多的动长和宽。