MIM电容接法

请教大家一个问题，如果将MIM电容放在器件上方，但是不做metal shield会对电路造成什么不良的影响?请教大家一个问题，如果将MIM电容放在器件上方，但是不做metal shield会对电路造成什么不良的影响?谢谢！

会有寄生电容耦合，看你能不能接受了

这个其实没有多大问题。现在的问题是smic的design rule要求如果在器件MOS管等，上面堆放电容的话是需要在电容和器件之间加一层metal shield的，这一层metal得接地，但是我们的现在选的1P4M的工艺metal不够，电容只能直接堆到mos管上方，就不加metal shield了。这样的话就过不了DRC了，我们现在分析的是由于我们电容的下极板都是接地的，这样的话应该也就相当于是一层metal shield了，所以我们觉得如果直接把这个MIM cap堆到MOS管上面应该不会有问题?欢迎你给出一点意见，谢谢！

DRC并非一定要遵守的，前提是你知道违反它也没有关系，而且你的上级同意且为此背书。
我个人是没有这样干过的，因为我用的MIM不大，不至于这些面积也cost down起来。
既然你们觉得是可以的，那就做吧，当然你老板要同意。
还有就是咨询smic的意见，虽然它多半是反对的，但也是一个做事流程吧。

好的，谢谢！

对了，你们可以通过后仿验证耦合电容对电路的影响。这也一方面增加你们的信心。

恩恩，后仿还好！

注意parasitic C和coupling effect

以前听一个同学说他在的小公司因为电容耦合，一个运放被噪声干扰了，几十万就这样没了，工作和小公司都有风险了

既然知道是电容耦合的噪声干扰问题，为什么不做有针对性的改进呢?