高压启动电路请教

小弟最近做一个flyback AC-DC电路，需要使用高压启动，参考了之前的一个设计，但是现在用的工艺库中缺少了高压BJT器件（做二极管使用），所以打算用高压40V的PMOS替换掉，原理图如下（左图原电路，右图pmos替换掉图中hvbjt），不知道这样做会不会有不良的影响产生，之前没有接触过相关的资料，还望知道的大神赐教，大概原理图如下：其中使用了高压 FET做主开关管， 正常启动完成后JFET有一个很小的漏电流uA级别，由A点另一条支路流向地，A点电压约30V，mp1为40V高压管，充电启动完成后基本完全关断，很小的漏电流，原电路使用一个hvbjt做寄生二极管，防止VDD充到30V以上时，导致mp1寄生二极管导通。产生反向电流，由于使用的工艺没有hvbjt，所以想用40V的mp来代替hvbjt，不知道这种接法实际中会不会出现问题，相当于利用了高压pmos的寄生体二极管做反向隔离，高压pmos的栅极可耐高压70V，如果还有其他未考虑到情况，还望赐教！

可以的，使用iso 的hvpmos，离远一点，当心latchup。
具体怎么做要看具体工艺。

PMOS用的NBL或者DNW吧?否则充电的时候可能会形成寄生PNP，一部分电流入地

好的，谢谢啦

好的，多谢啦