微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 片外接电容的LDO内部还需要加MOS电容吗?

片外接电容的LDO内部还需要加MOS电容吗?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
MOS电容的栅端会通过PAD接到片外,会不会击穿管子?

这个mos电容的作用是什么,PAD直接连栅极有击穿的可能性,要具体分析

起一定的稳压作用,效果应该比片外电容好一些,因为串联寄生小,想在内部加一些是不是稳压效果更好

应该不用加,因为这个电容比起外部电容太小了

片外电容是uF级的吧
片内是pF级 差了6个数量级。
面积多出来的就多吧

关键MOS电容会不会击穿?

高频功耗最先从片内取电,片内电容ESR要小;其次从片外电容取电,ESR/ESL相对较大;闲着没事才用LDO放大器的UGB充电。

你电容gate可以挂个esd电阻不

你是说在栅上串个电阻吗?

一般的PAD连内部栅极最好加电阻

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top