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DCDC芯片内部mos管

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
有的DCDC不需要boost电容,而有的需要该自举电容,主要差别是内部mos管。内部采用是pmos还是nmos主要是什么区别?

你的sub接哪裡?
接0V會出問題,要接最低電壓-5V。
你的Co_sub要接最高電壓+5V。

以Buck为例,内部使用PMOS+NMOS的话,不需要Boost电容;如果内部使用NMOS+NMOS的话,那就需要Boost电容了。因为NMOS传导高电平会有阈值损失,用Boost电容和控制电路产生一个高于Vdd的电压可以避免这一点。
当然,用NMOS的最大优点肯定是节约面积,功率MOS很大,2-3倍的面积,还是很可观的。

谢谢。不过,”因为NMOS传导高电平会有阈值损失“这句话怎么理解?很多DCDC规格书是高压输入的有boost,而低压输入没有boost电容。
高压与低压主要是考虑什么?求解释,非常感谢诶。

谢谢。“因为NMOS传导高电平会有阈值损失”这话怎么理解。看了些DCDC规格书,高压输入的都是有boost电容,而低压的没有,这高压与低压主要考虑什么来选择pmos或者nmost?求解释,非常感谢。

关于NMOS传导高电平的阈值损失,见Razavi书12.2节。
至于功率MOS管的选型,这得看具体的设计。
个人觉得,高压下,真的要用PMOS+NMOS管也不是不行,这并不是绝对的

”至于功率MOS管的选型,这得看具体的设计。“,能不能帮忙举一两个例子,非常感谢。

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