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BUCK convert design--HS fet用作LS fet

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
Hi,
有人以前用isloated 的hs nldmos 作为 isolated ls nldmos 吗?
这样是否可行?
或者有没有人在这方面吃过亏?
谢谢!

可以的,没有问题。我用过iso ldnmos做上下管,都OK!

可否问下,
你的design是BUCK converter 吗?
VIN 最高支持多大电压?负载最大电流情况?
我现在工艺不提供ls fet, 因此想把 isolated hs nldmos 作为ls 用,但是工艺厂家说有breakdown的risk ,还在和他们讨论,但是我想知道这里都有哪些risk存在?
你以前try过这种case是吧,测试以及量产均没有问题是吧?
谢谢!

没有问题的。我们现在32V输入,输出5V/3A;36V输入,输出5V/3A。耐压可以通过调整LDNMOS管的vgs实现的。


ISO LDNMOS是用BN隔离的。你只要保证其他内部电路的耐压够好就行。一般来说,ISO的比no-ISO的反向耐压要低,但是实际上达不到反向耐压,高压MOS管的工作耐压更容易坏。

谢谢!
从上面的波形来看,其耐压值在VGS=5V 的时候只有33V , 兄弟居然design了36V的BUCK,非常厉害,你是通过调整Vgs 来实现的吗?
这样应该会对Rdson 以及效率有一定的影响!

我们想把下面的HS 该为LS 使用,但是fab一直说在NDT(@drain)和
NBL(@ISO-ring)会有punchthrough的风险,但是我觉得实际上HS 更worst ,如果HS 可以使用,那么LS一定也可以的呀!
不是很理解!

HS





LS


权衡面积和导通电阻,设置vgs,控制工作电压的。
应该不会有问题的。HS都OK了,想不明白LS为什么不行?我们工艺里面有no-iso的管子,我没有用。特意用iso的管子做下管,隔离噪声去的。

可否聊聊,联系方式私信你啦,谢谢!

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