量产芯片32K晶振高湿下有30%不能启振，求助
量产后发现高湿环境下（湿度90%）有30%不能启振；各位帮忙分析下，高湿下是什么东西改变了导致不能启振呢?
是不是高湿条件下由于板子或者电阻的原因，阻值不再是20M，而是显著变小了?
切记不要用MOSFET电阻，太不靠谱，5M的poly resistor就可以了测量一下该MOSFET电阻两边的电压，多半是有漏电导致压差
gain stage 不夠 ?..
多半是input对电源或者地漏电，导致不能偏置在放大区
还是检查下外接元件的值在高湿环境下还对不对，芯片内部应该影响不大，都作了sealring。
bu ming bai！
高湿环境主要影响哪些参数?
电容?接触电阻?
关注。
能不能用不同的外接電阻(100K-1M)連接在XIN和XOUT, 測試有無影響。
先测量XIN与XOUT的DC Op点正确不，如果被拉到电源或地则XIN或XOUT对电源或地的低阻通路导致的如果XIN与XOUT OP点正确，则可能是XIN与XOUT之间的Rf被大幅降低导致的
高湿环境下的问题是XIN与XOUT之间的阻抗降低到10M级或更低XIN及XOUT对地的阻抗降低到10M级或更低
很有道理， 不过线路板上的对地电容也可能高湿环境下漏电加大，电容量减小。
seeing
高手，感觉您的推断最有可能发生，能否告之解决方案，如果XIN及XOUT对地的阻抗降低到10M级或更低导致不能起振，如何解决?
这个在芯片内部没有解决方案，只能外部规范客户的PCB Layout
如果是偏置不对，都有可能是哪些因素造成的? 你说输入到电源的漏电是怎么产生的?
10uF的电容?哪有用这么大电容的。10M的反馈电阻应当也是足够了的。我曾经也用mos电阻做过，本身就做的10M不到的电阻，一点问题都没有。
同疑惑10uF电容，一般使32.768K晶振准确震荡的负载电容为6pF或12.5pF，因此XIN和XOUT的电容是pF级别的，这个不同的厂商的spec上应该有讲明
10pf，笔误
前辈，请问下最后怎么解决湿度问题的?