常压buck下管NMOS可以不用deepnwell隔离吗？
时间：10-02
整理：3721RD
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例如输入2.5V-5.5V，输出1.2V 600mA，看到有的芯片下管NMOS是用deepnwell隔离的（NMOS做在pwell里），因为衬底n+二极管在死区时间内导通，引起latchup或者在衬底注入噪声。
用普通不带deepnwell的标准工艺做可以吗? 例如用普通NMOS做下管，四周加粗地环，再加接VCCP的宽nwell & n+环，总之就是按照防止latchup的办法来处理，尽量减少衬底噪声对附近电路的影响。请问高手这样能实现吗，谢谢！
都是这么做的，加deep nwell，做这个浪费。用power pmos和控制部分线路隔开就好。
谢谢，你的意思是一般都不用deepnwell是吧?
用power pmos和控制部分线路隔开的意思是：用power pmos将控制电路部分隔开(距离power nmos远些，减少噪声影响)?
是的，nmos的body diode开启时候，有sub noise，可能影响控制部分线路。
那常压boost同理也可以用不带deepnwell的标准工艺吧，功率PMOS用普通nwell管就可以了?