LDO调整管尺寸的确定

调整“mult”值。即有多少个mos管并联。
或者在mos管名称里面使用bus命名：MN1<99:0>
这样也表示有100个MOS管并联。

谢谢您的解答；
在看Mora教材的时候，图中划线部分的内容不太理解，麻烦帮我解释一下；
再者，我想知道LDO的环路增益对LDO性能有什么影响?

65nm nmosLmin 为何使用 0.13um ?
还是你使用 IO device . io device 有些还有 IO ESD rule 会更差 .
nmos 900u/0.13um 为何不做成
200u/013um M=1000
还是调节电流会到多大 ?

Tsmc65n中，大尺寸的Pmos的Lmin只能设置到130nm；目前预设的调节电流最大20mA；
刚开始做LDO，希望传授点经验

没有使用过 65nm TSMC
何为大尺寸的Pmos的Lmin只能设置到130nm ?
大尺寸多大叫大
200u/0.13um如果改设计使用 100u/0.065um

对于大MOS管尺寸的问题，调出单管的W/L会有一个限制值的，但是可以增加multi个数，来达到你需要的值；
至于你提到的第二个环路增益对LDO的影响的问题，这个环路增益通常指开环增益，它会影响到分辨率、响应速度，PSRR，noise等，环路增益越大，分辨率越高，响应速度低，PSRR和noise性能更优。

应该说 高压MOS Lmin 0.13um低压的是 65nm

学习一下