后仿是提取Calibre with noRC（也就是不提取RC的后仿）和前仿有什么区别？

WPE 等

某些工艺有WPE效应，其它的后仿中会有AS之类的参数，表示源漏的面积。

兩個應該差不多
差在MOS的寄生電容

device parasitic will be modeled.

那AS之类的参数在那看呢?
MOS寄生电容前仿不是也已经体现出来了吗?no R/C后仿又有什么不同呢?

在前仿的时候，通过传递与器件尺寸有关的AS估算数值到网表中取代器件模型的缺省数值。
在后仿中，真实的源漏面积提取出来后转换成真实的AS数值写入网表中。
考虑到版图中有可能的源漏区共享问题，这部分参数有可能在后仿中变得比前仿还小了。
但是电路设计总是要留有足够的裕量的，如果这点差别会影响电路性能，那么这个电路一定有问题。
如果前仿和no RC后仿的结果有很大差别的话，我宁愿相信是后仿提取过程出了问题，是CAD流程或者PDK的问题。

HAOHAOHAOAHAO

器件有源区面积等参数前仿不准，后仿准确。这影响lod和wpe效应

@amodaman 我是用SMIC 0.13工艺 也出现了前仿和no RC后仿的结果有很大差别，是CAD流程或者PDK的问题，如何处理?