关于工艺角仿真时的组合方式
比如在CMOS工艺中，衬底pnp管的工艺角与pmos的工艺角是不是通常都是相同的情况，比如同时为SS，或同时为FF呢?
多晶电阻的工艺角会不会与其他什么器件有关联?
同问。这个问题之前问过好多
个人理解：应该是不同工艺角随机组合吧，比如bjt, nmos, pmos, res, cap, ind这几类器件的ff和ss随机组合，总的应该是1+2^n组合方式，这里的1表示的所有器件类型都为tt corner，2表示的只有ff和ss这两种情况，n表示的是器件类型，一般情况下只有nmos, pmos, res, cap，所以n=4，如果还有bjt和ind，则n=6。当然nmos, pmos一般是用ff, ss, sf, fs来区分的。如果再考虑电源电压和温度的影响，这里的n还需要加2。对于每种器件的tt corner就不用再去跟其它器件的ff, ss corner进行组合了，这样感觉有点多余。所以总的组合结果应该就是1+2^n。
一般情况下只考虑nmos, pmos, res, cap，vdd, temp的话，则n=6，总的工艺角组合应该是1+2^6=65.
应该是随机组合的。这样才考虑的全面。如果做产品的话。
前仿全工艺角可以，后仿跑几个极端工艺角就好了吧。看你电路大小，如果不大的话都跑一下比较妥。
确实可以考虑下
感谢楼上几位的回复，我是觉得PNP的掺杂情况与PMOS的源漏掺杂和阱掺杂、衬底掺杂一样，所以是不是它们的工艺角情况会有关联性呢?
某一层的掺杂偏移一般是一样的，比如nwell。但是两个器件工艺步骤不同，其偏移情况就可能会不一致。比如MOS的沟道注入PNP是没有的，所以最后的偏移方向并不一定一致。再比如你用的了NPN，那会用到MOS一般没用的N埋层，偏移的一致性就更无从谈起了。
了解了，多谢各位多谢
但是考虑到线上用的同一台离子注入设备，所以还是有相关性的
如果说前道的掺杂和后道的金属，确实没有相关性
多谢大神补充。