高速LVDS的负载电容

最近在设计800MHz LVDS link, LVDS driver的负载电容一直按20pF估计的。看到一个TI的产品(CDCLVD1208)，它的上升/下降时间在300ps以内的条件是5pF的负载电容。
所以假设我的在PCB板上的走线在4cm以内，LVDS driver的输入信号直接接FPGA，多大的负载电容是比较正确的估值呢?谢谢大家！

300ps的上升时间，带宽大概1G多点，在PCB(Er=4.2）上，1G波长大概150mm，15mm以上的长度应该看做传输线模型.
个人觉得5p合适的，20p太over design

实际5-10pF 已经很大了
20pF
确实过了点

嗯，这个值是比较大

想知道从理论上怎么解决

搂住好人

继续啊。