内置MOS管内阻变大原因？

25um and 38um 是指铜线長度嗎?
變長當然内阻會变大.
若是指铜线寬度,
那就不知道了.

高压BUCK吧?上下管都量过吗?会否是bonding的接触电阻变大呢? 还有，这个MOS管如果是LDMOS的话，或者是工艺参数变化过大?

嗯，上下管都量过的，都是在同一个系统板上测试的。根据Vds/IL计算内阻，感觉很奇怪，不知道是示波器精度不够有误差，还是这批封的MOS管参数不一致，或者是打线导致还导致电阻变大了，很是怪异。

不太可能。是同一批次的比较?

一片wafer上面的，只不过取die的时间点不一样。

这数据你用示波器量?测量误差也太大了吧。
进testmode 后，加压测电流或者加横流测压差，都用精度高的电表。

想什么呢?显然是直径。大点的pad都有80um×80um

首先肯定不能用示波器测。示波器的ad一般只有8bit，安捷伦的高端货号称10bit。一般的6位半表头都相当于20bit，好一点都有22bit。
其次，如果mos工作一段时间，温度会上升，带负载能力会下降。所以不知道你测试的时候有没有注意到测量数据的时间和器件温度的问题。一般比较传统的方法是把器件连上，通电半小时，然后测量。
打粗线内阻更大这在理论上是不成立的。除非粗线的质量不行，或者打线机在换过线以后工艺参数不匹配，比如焊接的温度不够，导致铜线与焊盘的键合不好。
工艺上的问题最好用PCM结构来测试确定，不然不好分辨。

非常感谢，解释很清楚。