求教关于hspice仿真工艺库添加的问题
求教啊！
再顶！
你说的仿真的库文件应该就是*.l文件吧?
把你的库文件include就ok了
关于第2个问题，那就是对于design来说，可调节的参数仅仅是W & L 如果要仿真的话需要相应的模型参数可不只这两个，所以还需要相应foundry提供对应的model文件
不知道你是不是想问这个！
对，是你所理解的两个问题！谢谢！
* 1)To use these models directly by programming in this style:*
**
*.lib 'lib_path/lib_name' model_name*
**
**
*EX: .lib '/home/user/tsmc/LOGIC/mm018.l' TT*
*for typical 1.8V N,PMOS*
*.lib '/home/user/tsmc/LOGIC/mm018.l' TT_3V*
*for typical 3.3V N,PMOS
后一个问题明白了，刚开始看Sansen书的第一章，好像有说到designer的参数选择权限。对于第二个问题，你说的include的方法我再查查hspice的语法规则，上面是.l的库里面的说明，我打开看了，我不知道，其路径是怎么回事，我把.l文件放在D盘和我的电路网表同一个文件夹下，如.lib '/HSPICE/mybandgap/tsmc/LOGIC/mm018.l' TT_3V 其中HSPICE/mybandgap就是文件路径，但是是错的，不知道上面所说是何意
*HSPICE SIMULATION FILE EX4-7
*BANDGAP
.OPTIONS POST=2 LIST
.lib 'D:\HSPICE\my bandgap/mm018.l' TT_3V
M1 1 1 X GND NCH W=30U L=6U M=3
M2 3 1 Y GND NCH W=60U L=6U M=16
M3 VDD 3 1 VDD PCH W=30U L=6U M=3
M4 VDD 3 3 VDD PCH W=30U L=6U M=3
M5 VDD 3 OUT VDD PCH W=30U L=6U M=3
Q1 X GND GND PNP10 area=1
Q2 4 GND GND PNP10 area=8
Q3 5 GND GND PNP10 area=8
R1 Y 4 4.3K
R2 OUT 5 10.59K
VDD VDD 0 DC 3.3V
.DC VDD 0 3.3V 0.1
.DC TEMP -20 80 1
.PRINT V(OUT)
.END
为什么以上网表出错了?！求教高人啊！
中间的连接表是一个bandgap的电路
顶上去，求教！
再顶！
你的问题逻辑很混乱啊
1.先回答你的关于工艺库的疑问，你做电路无疑是要确定流片工艺的,工艺库就是一系列工艺参数的集合。在电路设计阶段要验证你的设计，就仿真了，当然要加载工艺库了！
2.工艺库一般包含很多section,如mos,res,bip,dio,cap等等，mos里还有数个corner,corner代表代工厂的工艺误差范围，如tt就是p型和n型mos都是典型的，工艺库的加载必须保证仿真器在指定的路径下对应的section是有且仅有的关系
3. 你的出错要看仿真器提示，对照改正就是了
检查一下corner 是否有问题
呵呵，毕设啊！
你可以看看错误报告文件，那里面写的很清楚，照着修改就ok了
谢谢 参考参考
感觉很乱，，，其实没你想的那么复杂：
1）首先你的程序需要有title,,任意取，在程序的第一行，，，不想写就搞个*，，呵呵
2）调入你的工艺库，，lib "c:\synopsys\HSPICE200503\BIN\*.hspice"tt
3)对着电路把程序输进去，，就OK，，，，有什么问题看你的lis文件，，那里面会告诉你哪里出了问题
路过！
照着改了，还是出错啊！
问你师哥，师姐啊
我的也有问题哦！
6# overcomeyu
怎么有时用GND 有时有用0来表示? 6# overcomeyu
你写的格式有问题，好像/和\混合了，在你的模型文件中通常会有README，照抄就好了
另外你说的工艺库，包括很多东西，比如SPICE MODEL(当然也有SPECTER格式的)以及各类规则检查文件，数字标准单元、IO等。
针对仿真，每个FAB的mode都不是一样的，应该都是根据实际测试结果拟合出来的
希望有帮助到你！
l
so good~
so good~
也想知道！
看看怎么回事
个人认为先看看hspice的文档更能迅速入手。
学习来的，，，看看
来学习的！收益
谢谢小编
谢谢小编