MOS分别设置为w=10u l=5u m=2和w=20u,l=5u m=1 DC仿真结果有较大差别

看模型文件，1种可能是这2种类型的管子对应模型不同

这种违反常识的仿真结果基本上都是因为设置不正确造成的。到底什么结果不一样了?

应该是一样的……

你这个说法我不懂，模型文件里应该没这样区分

设置为m=2,电流随温度的线性度较好，设置为m=1电流随温度的线性度较差

你是怎么仿真电流随温度的线性度的?

温度扫描啊，是这样的，这个参考电流源随温度是上升的，如果我用一个倍数M复制这个电流，当然能得到随温度线性度较好地电流。如果我用一个大管不用倍数，线性度会变差，这个还可以理解。不解的是，用倍数M复制参考电流时，SS FF TT 的电流相差不大，线性度基本一致，当用大管不用倍数，SS FF TT 的差别拉大了?

可能原因是
Weff = Wdraw - Edge effect
假设Edge effect = 1
w = 10 M = 2=> Weff = 18
w = 20 M = 1=> Weff = 19
不管怎么说 一般不用 w=20 match w=10

是这样的，但还需考虑长度，但不解的是，这个也影响工艺角。但我看模型文件，好像工艺角的边缘效应是一样的。

遇到同样的问题，运放差分输入对管一个用长度另外一个用Multiplier时候，输出电压有差很多，甚至我把其中一个输入管的尺寸变为原来一半的时候结果都比用multiplier或者finger的好，很奇怪，大神们能否给点意见呢?

两个并联在一起，明显减小栅级寄生电阻，输入对管匹配性更好。

我发现问题了，比如对于输入差分对管，如果输入差分对管都用Multiplier或者finger的形式的话，就不会，如果只是一边用multiplier或者finger另一边用单独的尺寸的话，就会出现仿真结果偏差的现象，第一次在论坛上贡献自己的发现，希望可以帮到大家。

MOS分
w=10u l=5u m=2
和w=20u,l=5u m=1
是不同DEVICE
对 logic(digital) design 或许 w=20u 是一样,
但是 对模拟设计来说是有些不同
因为MODEL 因为不同w/l 选不同方式 ,早期 spice model做不好时,
还会分 model card .就是规定 不同 size 使用不同file ,記得 1996 年代時如此 .

还有些低温 fitting不好,会低温, 常温分不同 spice model file .
後来 mos model 是使用
mos.1
mos.2
mos.3
mos.4
mos.5
...
現在 spice 软体会自己去选适当 model file . 如果你使用spice model 是 10u , 20um 不同组,
当然 10u *220um不同 ,
至於 19.99or 20.001um ? 以前碰到做不好的 spice model , 交界 跑出来会怪怪的 .
就是你可以去调 w= 10um -> 19um -> 20um -> 21um ..
因为 MODEL 做不好交界会不连续 .
diff pair 来说,输入 input stage W*L 也会影响到 offset .
至於 multi or finger , 有些 schematic tool 输出就是 m=xx , hspice only m=xx
就算你标 finger 也是 m=xx

感觉说的有点道理

VTH不同