基本两级运放输出加一个100nF的大电容，这时候的摆率怎么计算？

书上只给出了不加负载时的摆率，即Iss/Cc，但要加一个大电容，摆率就变小了，建立的时间很长；通过Cc补偿电容的电流应该还是Iss吧，但是对大电容的充放电电流是多少呢，这个时候应该怎么计算摆率?我用的是pmos输入基本两级的
负摆率的时候，大电容放电，测了一下，电流高达3、4个毫安，这个时候的摆率就由输出级的nmos管的宽长比来决定吧，宽长比越大，所能承受的电流也越大，摆率大小为v/ms级的
正摆率的时候就是输出级pmos电流源直接给大电容充电，摆率由pmos电流源电流大小决定，所以俱小，都是v/s级的

100nF的大电容?100nF大吗

就是CC 和CL 的都算一下 哪个 小 摆率就是哪个

按照两个并联算吧

我也认为是并联才讲得通，即电容增大了，摆率下降了

min(Itail/Cc,I2/(Cc+CL))

那个小就是哪个啊。

Cc也可以看做是运放的负载电容吧

那太小了，我指得是加大电容负载的情况，这时的Cc都可以忽略不计了

我雄堂主！

ISS就是尾电流 摆率是针对大信号的 因为这个时候有一边的管子是没有通路的

看不懂啊看不懂

输出级充100nF的电容还是要很久很久很久的。

很明显是看Cc和Cl两个电容，哪个充电慢，哪个主导

thanks

什么情况下需要100nF的电容啊。只用过几p的。