silvaco模拟INGAAS PIN 探测器问题
时间：10-02
整理：3721RD
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请教高手，模拟INGAAS PIN 探测器时，除了吸收层材料需要设置光学参数外，上下INP 层的吸收参数需要设置吗?如何设计?急盼
附上从Google找的吸收参数图，不一定完全正确。
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看不懂
帮忙顶！
帮忙顶 也想看
帮忙顶，想学学
ghokidfhj hjpokjg qsdkgqsdyudfqs qsdighqzdfiqs
我不是做这个方面的，仅供参考。这个图挺有名的，就是bandgap与晶格常数的关系。实线代表direct bandgap。
InP就是属于这类的，所以光先通过这层的话，就应设吸收参数。
附上从Google找的吸收参数图，不一定完全正确。
帮你顶起
您好，我是silvaco的初学者，现在也想学习模拟InGaAs/InP探测器，但找不到合适的例子。请问您能否在这方面给我一些指点，不胜感激！
（我的邮箱schnyder@126.com）
请问怎么设置接收层材料的光学参数，我是silvaco的初学者，可以的话可以把有关资料发到我的邮箱里吗?谢谢！511214992@qq.com
当然需要，否则光都被InP层吸收了怎么办?
老衲法力有限