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夸张的倒比管

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
小白我最近看纯mos管做成的参考源电路,参考论文里的尺寸和电流吓了小白我一跳。电流10nA,管子W/L为1u/600u…这个到底是咋弄的呢?一个一个串起来,得串好几十个呀,各位大侠们能否指点指点,还有什么方法能实现这种超级倒比管呢。还有有没有大侠做过工程里面用的nA级的纯mos超低功耗参考源?为什么小白照着人家的论文搭出来的电路性能都很不靠谱呢,也许是小白我不靠谱吧。大侠们,请帮帮小白吧。

电容?

10nA基本就是在sub-threshold区间了,1/600的比例可能是为了使管子工作在饱和区,但也不好说,取决于工艺。见过nxp有2-300nA的bandgap,但不是纯cmos。论文啥的,看看就好,别太当真

启动电路?

蛇形做倒比管

就是启动电路或者POR电路中的东西吧,用倒比的管子代替大电阻,节省面积。

应该是用它的DS阻抗做电阻用的,一般会在启动电路中用到(个人看法)

请教一下, 可以上个启动电路的图吗,为何要用SD电阻代替,版图中如何实现?

Zhengjie

启动电路里 会用到倒比管的

除了启动电路,其实在超低功耗设计里面,这种看上去很离谱的倒比管随处可见,特别是超低功耗的电流源电流镜上有很多,这样才能保持在极小电流的情况下的饱和状态。

支持3楼和11楼观点,低功耗设计中,为了工作在饱和状态,于是使用离谱倒比管。
版图上应该是串联实现,注意匹配。

给你看看NXP某款产品中的版图,之前反向设计遇到过的。随处可见,还有很多单个w/l就很惊人的长管子...


学习了,谢谢

很有收获,谢谢

10nA基本就是在sub-threshold区间了,1/600的比例可能是为了使管子工作在饱和区,但也不好说,取决于工艺。见过nxp有2-300nA的bandgap,但不是纯cmos。论文啥的,看看就好,别太当真

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