关于MOS的栅长和阈值电压的关系

在razavi中文版478页，VTH随L的减小而变小。
但是在EECS240的lecture中，VTH随L的减小而增大。

现在的MOS，VTH与L的关系不是单调的。

先谢谢了，我通过仿真得到的结果是vth随L的减小而增大，用的是smic0.18的工艺。今天看的论文中默认的是Vth随L的减小而变小，然后得到了一系列的结论。也没给参考依据。
现在到底是应该怎么理解这个东西呢?是正比趋势还是反比趋势呢?还是有条件限制的呢?

影响阈值电压变化的因素很多不能单看栅长要全面考虑。

可以看阈电压的完整表达式就知道了

在EECS240 lecture中，随着L的增大，VTH是先上升，然后下降，其中有考虑到holo作用。

这个需要具体问题具体分析了 影响的因素不是单一的

谢谢~

按照DIBL效应VTH是随L增大而增大的，但是现在的小尺寸工艺中一般都会采用halo结构，这样VTH和L的关系就不是那么确定了，有时候甚至随L增大而减少了

学习了~

nice...

nice.

旁观一下，学习一下

vth也不是完全与栅长成线性关系的 影响的因素还是比较多的吧

学习中，谢谢各位高手

yes...

halo结构是什么意思啊

综合考虑

这贴完美的解答了我近来的疑惑，谢谢楼上的各位高手

假设channel length 从 0 到 10 um，VT变化规律一般是从0~1um，随着L增大，VT增大，这主要是short channel effect在起作用；
随着L继续增大，VT逐渐减小，然后基本不变，这主要是reverse-short channel effect在起作用。

xuexixuexi

学习了……

正好解决了我的困惑

学习了

good

halo implantation: large angle implantation, to avoid S/D punch-through

这个问题我也刚碰到，纠结很久，一直没有解决。老师叫我看BSIM3v3参数，不过也没弄懂。如果有好的分析方法，求分享下

学习了