为什么spectre里面的vdsat不等于vgs-vth

我觉得Vds＝过驱动只是个粗糙的估计吧，不过好象Vds>过驱动是比较保险的。不太懂，学习。

Vth=?呢，不是参数里面的Vth0，所以Vdssat只是一个估计值！

了解一下Vth的模型和测试方法
本身Vth仅仅是一个假设值而已

Because the real MOS model is more complicated, Vdsat is not equaled to Vgs-Vth. Vth is not a linearity model.

Vth 不是固定值?

Vth不是固定值，BSIM3v3中有好几个主要的参数和其他辅助参数算出来的，但是一般和Vth0的值相差不会太大！

在理论上Vth是指沟道表面正好强反型时的的电压
在测量上以前有1uA法，1uA-4uA法等各种方法，得到的值并不固定
在实际设计上，Vth仅仅是供手动分析时的一个参考值，其实我们要的指标只要满足，管他饱和线性啊。
当然，手动分析很重要，这个给你在定参数时指明了方向，也会留有较大的设计余地，所以随便找个差不离的Vth做参考就可以了
很多时候Vth仅仅影响输入输出动态范围等参数

vdsat在手工计算的时候可以大致认为它等于Vgs-Vth,实际模型中会考虑其他因素,所以计算机出来的结果和手工计算的会有差异,但是以我的经验看,这种差异对你的设计没有什么太大的影响

Vdsat还是要足够大的，否则工艺漂移的时候结果差别会很大的。可以用FF/SS模型仿真比对一下就知道了

Vdsat在.5工艺下一般取200mv或大约30%的Vth就可以保证了，当然corner的因素能在手工中计算最好

MOS管工作在饱和的时候，Vgs-Vth大于或等于Vdsat。也就是说，只有当gs-Vth大于或等于Vdsat的时候，mos才能饱和
vdsat不是由Vgs-Vth决定的，他有一个计算公式，在施敏书的P185上有

vdsat=vgs-vth是一阶模型，49级模型不是这样算的吧。我一般是看实际的vds和vdat的关系

BSIM3中的Vth0是在大尺寸器件中提取的值，而对于小尺寸器件的Vth=vth0-短沟效应+反短沟效应+窄沟效应-反窄沟效应+······。

受益良多~
thanks a lot！

在低压设计中，Vds可以取100mv～150mv，200mv可能太大，导致输出摆幅减小！甚至50mv的也见过！

同意，1.2V的工作电压vdsat留这么多，输出范围也就没多大了

一般在做运放时都需要手工设计很多指标吗，如果是反向设计呢?

那个值是考虑过速度 饱和等因素后的计算值，通常我们认为vdsat为一个过驱动电压值只是个近似值

我的理解如下：
根据你的需要来确定指标并选择电路结构和参数
如果是反向则根据电路结构和参数猜测其设计规格

反向设计就先看工艺参数，一般模拟的就结构可以借鉴，其它的还是要靠自己仿真的！

Vdsat仅作为一个好的参考，不是精确值！

vdsat 还是一个比较重要的参数的，取得太小的话电流镜的匹配会比较差 所以还是要折衷的

那个叫overdrive 因为在漏端由于body effect Vth要比在源段大，所以vdsat要小

Vth不等于Vth0的。BIM3V3的model不在符合平方关系的。可以看看BIM3V3model

这有什么根据?

这是一个实验值，在200mv的情况下，跨导和电流的关系是最优的
sansen的书里有提到这点

实际中,肯定不一样拉
我们通常说等于Vgs-Vth,是因为我们希望这样的输出是在饱和情况下,输出的电压最小,从而摆辐尽可能的大,是最好的
实际中,由于沟道调制,肯定会大与Vgs-Vth.
我们可以通过调大宽长比,来使Vds接近Vgs-Vth

When velocity saturation is significant, VDSAT<VGS-VTH. L larger, VDSAT=VGS-VTH.

一般200mV～300mV，
0.18um一下，可以100mV