LDO设计求助

毕业设计VCCS补偿的LDO，遇到几个问题。希望好心大神们帮帮忙。

设计用的是SMIC0.18工艺。要求稳压后的VOUT=1.8V。现在设计中误差放大器开环增益98db,相位裕度60.
基准电压为0.8V。PMOS管W=5000U,L=2U。负载电阻RL=300,电容CF=2U。此时负载电流约为10mA.压差约100mv。
1.以上参数有哪个是不合适的么?
2.关于LDO补偿，是否要先仿真LDO的开环增益?我把反馈电阻断开，在VFB处加dc=0.8V,AC=1V,这样仿LDO开环增益是对的么?
3.LDO的开环增益是不是不一定大于误差放大器的增益?大概多少合适?
谢谢大家了~

来人来人呀

增益差不多了
看你spec定得什么样
还有，毕设不一起做个BG?

谢谢啦，BG是啥

还有SPEC怎么整?我现在不知道怎么把VCCS加进去。

BANDGAP

用.18的工艺输出1.8V，电源准备用多高电压?.18工艺功率管取L=2u，有钱任性，难道是为了耐压么，那还不如换工艺。看电容值不是片内应用，那10mA一般属于LDO偏轻载的情况了，最大输出电流能力呢，再说1.8V/300ohm=6mA，10mA的计算结果不理解。

补偿都没有

标题

写错了，负载电阻是180。L取2U是很大么?另外，我的输入电压范围是1.9～3V。

标题

准备用VCCS补偿，但是现在不知道VCCS该怎么加进去

内容负载电阻是180欧，写错了。LDO的负载能力和哪些因素有关呢?

vccs补偿电路。怎么仿真这个电路的功能?

pass管的L不是要尽量取最小值么 不然面积巨大

模拟电路1u就很小了吧。因为有电流源2U也不大

1.外部的PM0管子寄生电容很大，影响你的环路测量，最好换成VCCS
2.要测量环路，你要在反馈环路上断开，加一个1T的大电感。在电感一侧加激励，另一侧测量。
3.你最好先估算一下零极点
4.运放中MOS管的尺寸还得好好考虑

如果是你用的工艺最小沟长是这么多，那也没办法。
反正我是不可能取这么大的，面积大，寄生电容也大

首先非常感谢你。还有几个问题想请教。关于运放管子的参数，你认为是哪里不合适呢?