Charge Pump的飞电容可以用mos管做电容吗？

请教做过ChargePump的朋友，飞电容只用MIM电容吗?有用MOS管做飞电容的吗?
现在为了节省面积，想用PMOS管实现飞电容，是否可行?
如果可以的话，还有下面两个问题：
1）如果用PMOS管做电容，Nwell和Psub之间的反偏二极管的影响有多大?电容值该怎么估算?
2）进一步，是否可以采用MOS电容上面盖MIM电容的方式?这样更省面积。
第一次做没有经验，先感谢了。

顶一下，等高手解答！

不知道什么叫飞电容，但是实际电路中MOS管是经常被用于取代MIM cap的，节省超级大的面积。MIM cap一般只用在要线性度好的地方吧，而且可能要额外的mask的，都是钱啊。反偏二极管应该只提供一个相对数量级很小的对地电容。

谢谢！我说的飞电容就是指的充电电容。

所谓的飞电容，应该是指"飞在"片外的外置电容。
电容值比较大，在芯片内部不能实现，才采用外置的电容。

可以的，可以省面积！

请问，在用mos电容的时候是否考虑反偏二极管寄生电容的影响?怎么评估这个影响?

保证压差就行

你说的mos的阈值吗 ?这个我知道
关于那个反偏二极管呢问题，您了解吗?

你是利用栅氧层的Cap，MOS 栅接高，S，D，B都接地，寄身diode就没有影响，给屏蔽掉了。

同问！

用PMOS做充电电容，上下极板电压是变化的，SDB做一个极板，psub是最低电位，Nwell和Psub之间形成的diode。我想知道这个的影响。

最好用ZMOS管 做电容

想问一下小编最后是用什么电容做的，我之前也碰到了这种情况，由于电容一端连接OSC，电荷泵工作中是电荷不断从电容逐级转移的过程，怕工作中这样压差变化很大导致容值变化大带来问题，也不知道怎样去评估这个方案，所以最后用的PIP电容，小编可否讲解一下呢，谢谢。（我用的是交叉耦合型的cp）