微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > ADS仿真CMOS反相器问题

ADS仿真CMOS反相器问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
刚刚开始入门ADS,现在想用ADS来仿真一个CMOS的反相器,但是输出波形很诡异,找不出原因,希望有高人指点。



上图是ADS中搭的模型,MOS管选择的是BSIM3,但是参数不知道怎么设置,没有动。
仿真结果是


真搞不清楚这哪是PMOS哪是NMOS。

上管是pMOS,下管是nMOS

研判原因是你的PMOS與NMOS的SIZE給太小,推不動10pF的負载,
所以rise time 造成非常的長.....
10pF 換成10fF 就正常了,
或加大PMOS/NMOS Width 也可以.
PS: 10pF 的負载對一顆inveter是很大很大的.

我刚刚把电容的值换成了10fF,仿真结果中出现了非常大的峰值。

Input (Vin) Rise time and fall time 不可以是0nsec?
設定10nsec吧?
再試試看!

我之前设置的是1nsec,改成10nsec之后也没有明显的变化唉

去掉负载,你的管子尺寸给的太小了

for 0.18um CMOS Process
PMOS W/L=10um/0.18um
NMOS W/L=4um/0.18um
你的Size 接近嗎?

Sorry:
For 3.3V CMOS Process:
PMOS W/L=10u/0.3u
NMOS W/L=4u/0.3u
try it ?


嗯,刚刚试了一下,好很多了

应该是负载太大了导致的原因,减小负载和修改管子的W/L之后好很多了

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top