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关于低功耗设计运放输入管进入亚阈值区的问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
最近公司在做低电压低功耗的设计,我做了个低功耗的预放大器,偏置电流在30nA,伪电流源采用了倒比管使得各工艺角下伪电流源都工作在饱和区,但是输入管和负载管全部在亚阈值区了,各个工艺角和温度下仿真运放都能够正常工作,请问这样是否可靠,在实际流片后亚阈值区的管子会不会关断导致无法正常工作?
另外,在使用spectre仿真时可以看到输入管和负载管在subthreshold,即region为3,但是hspice仿真结果只会显示cutoff,请问如何确定这个cutoff是工作在亚阈值区了还是真的关断了?还有就是能否让hspice仿真的结果显示出subthreshold?
谢谢!

很多文章里做低功耗时都会让晶体管工作在亚阈值区,这样做到底可靠性有多高呢,yield稳定吗?

在HSPICE下,我觉得你应该把每个corner的vod=vgs-vth值都看一遍,vod尽量小于 3个VT,(3×26mv)

小于3个VT是要达到什么目的呢?vdsat和vod有什么关系呢,这两个参数哪个决定晶体管的工作状态?
我现在输入对管和负载管的vgs都比vth小,所以p管的vod是正的,n管的vod反而是负的。
谢谢!

估计量产危险!做做论文还可以

才30nA的电流,多做备选方案,从已有的经验来看(参与过单片800nA功耗的产品设计),fail的概率很大。这里的fail倒不是指funciton fail,而是实际功耗会和你仿真结果偏差很大。

ls说的很对。很多foundry提供的SPICE model在低于100nA的情况下仿真就很不精确了,如果可以的话最好还是先走一次MPW。

真心看工艺model了,可以看他sub域的model怎么写的,或者问其工程师
在tsmc量产多次,无问题

T的工艺还是很有保障的啊。

功耗会偏很大啊,那也就意味着电流偏差可能会很大了,如果电流太大了伪电流源岂不是要到线性区了,如果电流偏小了就关断了。不会放大器最终无法正常工作了吧。如果做低功耗的预放大除了用小电流外还有什么办法吗?


应该还是MPW的,这个仿真不准了是指结果计算不对了,还是指实际流片与仿真偏差大?

是实际与仿真的差异。

明白了,谢谢!

,学习了。

最近在公司里看到个运放也是输入管工作在了亚阈值了,尾电流800nA,真心不怎么了解亚阈值的运放。

不了解亚阈值区!

我最近也遇到这样类似的问题,差分输入对管工作在亚阈值区,这样对整体电路会有什么很大的影响吗?比如说增益或者其它性能参数?

最近做LDO 不知道出来结果怎么样

LDO整体作到3uA以内 有难度吗

3u静态电流吗



Vdsat是该栅压下达到饱和的源漏电压,源漏电压达到这个值器件进入饱和区。Vod过驱电压,无论是饱和区还是亚阈值导电区都需用Vod值,饱和区,Vod是正值,亚阈值导电区是负值。Vdsat小于3个Vt,是为了保证器件在任何情况下都工作在亚阈值导电区。

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