阈值电压变化对运放的影响

各位好，最近在考虑一个问题，如果运放中同类型的管子（如所有的NMOS管）的阈值电压一起减小，会对运放整体性能有什么影响呢?如运放的增益、摆率、电源抑制比、输入共模范围等参数。可以从什么角度入手去分析呢?我最开始考虑从表达式计算去分析，发现难度有点大，变量太多，不知道各位有什么好的思路 呢?可以讨论讨论

补充：大家觉得这个问题的分析有没有可行性?有没有什么实际意义?

我觉得影响最大的还是输入共模范围，，，你自己看看输入对管的

lihai

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