LDO中的电容CIN、COUT、CBP的一些问题

看了两款芯片的datasheet，有点疑惑。
首先第一款芯片和第二款芯片都有CIN和COUT。
问题：
1.这个COUT是这个芯片典型应用时外加的电容还是输出负载的电容呢?对于不同的负载LDO怎么能够保证都能正常工作呢?（比如有的负载很大uF级别，有的负载很小，pF级别）
2．这个CIN又有什么用处呢?
3.对于芯片2028，它的输出有一个0.01uF的CBP应该是为了减小噪声的，那这个CBP和COUT有什么区别呢?

1.Cout是典型应用时外加的电容也是负载电容，LDO的负载大小是指输出电流的大小而不是指电容的大小，你的概念理解可能有偏颇。pF级的电容一般是内部电路本身寄生的电容或者用于片内补偿的电容的级别，而uF级的只可能是外接电容的量级，这两个量级差别大大大大的，如果作为负载电容的话补偿方法也会有很大区别。
2.Cin是输入旁路电容，是为了恒定输入电压的。
3.Cbp是输出旁路电容，为了恒定输出电压。这两款芯片我没看过datasheet，但看你发的图应该都是属于传统的LDO片外补偿结构，利用片外大电容把主极点设置在输出端。第二款Cbp的意思，片外补偿用到了Cout的esr 电阻产生的零点进行补偿，但是esr会增加Vo在瞬态过程中的变化幅度(纹波)，降低对Vin中噪声的抑制，所以需要Cbp再去降低esr补偿造成的负面影响。
建议你可以找找传统LDO补偿的资料看看，应该就会完全明白了。

EASY^^^^

应该是为了稳定性，而加的片外电容