请问一般nmos多大电流可以认为进入亚阈值区

调运放时遇到的问题，
想增大第一极点的位置，这时候Vgs略小于Vth，用亚阈方程算好呢还是用饱和区的跨导方程算好呢?没做过这么低电流的，在实际中应该注意什么问题呢?比如电流不能小于什么值?或者流片出来的结果偏差很大?
后来又发现这样的问题，我们用的是chrt35工艺，nmos管3uA时Vgs才刚刚等于Vth，pmos管1uA时Vgs就可以大于Vth，有没有人注意到，那位高手给解释一下?

与管子的尺寸有关吧
我记得razavi书上说过1uA/um（I/w）时候vgs约等于vth

那个区叫subthreshold，就理论上来看，它的管gm将会变的很大，那个区的的行为很像bjt，
实际厂(fund)做modeling并不会仔细的model此区，所以将会有极大的误差...

0.1uA per W/L

我设计的电流就是500n，也就是想不让它进入亚阈值区都不行了...

100n比较大了，不一定的！

这么小的电流，怎样对工艺进行控制才能制造出来呢

参考subthreshold的mos理论。
该区存也存在饱和区，当vgs<Vth, vds>3Vt时也是饱和区。
同样的尺寸nmos的电流能力比pmos强，因为电子迁移率>空穴迁移率

受教了，多谢

一般在纳安级的才好.

好，学习中

您说的是vds〉3vt后就饱和了是吧
但是这时候就没有沟道调制效应了么

1uA/um 应该就要小心了吧

thinking》》》》》》

thanks

study

关注，关注！

0.1ua per w/l差不多

mark
学习

一般是按VGS小于多少考虑，还是Id多少考虑！

在亚阈值区跨导约为Id/(nkt/q),饱和区的话就是2id/vod，两个相等就是转变点的过驱动电压值了，大约是2nkt/q，50mv左右吧。

确实不错

，学习了。

还在学习中，不断积累

学习了

0.1ua per w/l差不多