芯片流片回来出现闩锁

如题，最近流片回来的芯片在测试时经常会出现大电流的问题，怀疑是latch up了，具体试情况是这样的：示波器探头不加在IO上的时候，外面出现干扰(如开关灯），基本不会闩锁，但是加上探头的话，外面出现干扰，闩锁的可能性很大，另外探头加在输出管脚比输入管脚闩锁可能性更大。检查版图，发现内部输出PMOS与NMOS间距小的(约5.3um，0.5um工艺）更容易闩锁。猜测是探头耦合了大的干扰信号，使得漏衬反向击穿，从而触发闩锁。 不知道各位有没有类似的经验，在版图设计时是不是得对输出管脚的P管和N管进行特别的设计，0.5um工艺P管和N管保险间距是多少呢?谢谢！

你的输出是大的反相器输出吗?旁边是不是也有小反相器?
如果是的话，假使输出级做好了版图，可能是这样，输入电压瞬间高于电源电压，导致输入P管衬底寄生管导通，打开了相邻的小反相器衬底的那个回路……
仅仅一种可能，公司出过这样的事

对的，输出是大的反相器输出，逐级驱动的，所以也有小反相器。不明白你说的打开旁边的小反相器是什么触发机制，另外怎么确定是打开了旁边的小反相器造成的，多谢！

double guard ring, 25um

拿颗fail的片子去照下emmi，定位一下。一般出现这样的情况是你们没有按照规则来做吧?

管脚的本身的驱动电流不大的，大概5~10mA, 25um有点占用面积啊。

rule里面没有latch up的规则，没办法

跟你驱动电流大小没关系

ESD & latch-up guide line ，foundry 不提供?

一般都会提供吧，你文档看完了吗?

还真没有，CSMC的，问过那边，说不提供。

小编，你好！ 我们这次流片回来也出现了类似问题，用的也是csmc，输出是反相器驱动，旁边也有小反相器。请教小编：1.怎么确定闩锁的位置?
2.后来小编的问题解决了吗?解决的方法可以分享下吗?

4楼正解

定位emmi，加保护环吧，后来改了间距，貌似成效不大。